1.一种尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将硝酸铜和硝酸铁按摩尔比为1:2溶于乙二醇甲醚中，搅拌均匀后再加入醋酸酐，得到CuFe2O4前驱液；所述CuFe2O4前驱液中乙二醇甲醚和醋酸酐的体积比为(3.5～

4.5):1，CuFe2O4前驱液中Fe离子的浓度为0.3～0.5mol/L；

步骤2：采用旋涂法在基片上旋涂CuFe2O4前驱液，得CuFe2O4湿膜，CuFe2O4湿膜经匀胶后在250～300℃下烘烤10～15min得干膜，再于600～750℃下在空气中退火25～30min，得到晶态CuFe2O4薄膜；所述基片为FTO/玻璃基片、Si基片、SrTiO3单晶基片或LaNiO3单晶基片；

步骤3：待晶态CuFe2O4薄膜冷却后，在晶态CuFe2O4薄膜上重复步骤2，直至达到所需厚度，得到尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜。

2.根据权利要求1所述的尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤2在进行前，先将基片表面清洗干净，然后在紫外光下照射处理，使基片表面达到原子清洁度。

3.根据权利要求1所述的尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤2中匀胶时的匀胶转速为4200～4500r/min，匀胶时间为7～10s。

4.根据权利要求1所述的尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜的制备方法，其特征在于：所述的尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜由10～15层晶态CuFe2O4薄膜构成。

5.根据权利要求1-4中任意一项所述的尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜的制备方法制得的尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜，其特征在于：该薄膜的结构式为CuFe2O4，其结构为四方相的尖晶石结构，空间点群为I41/amd(141)，该薄膜的饱和磁化强度Ms＝110emu/cm3，剩余磁化强度Mr＝71emu/cm3，矫顽力Hc＝810Oe。