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专利号: 2016101882963
申请人: 陕西科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-10-09
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:将硝酸铜和硝酸铁按摩尔比为1:2溶于乙二醇甲醚中,搅拌均匀后再加入醋酸酐,得到CuFe2O4前驱液;所述CuFe2O4前驱液中乙二醇甲醚和醋酸酐的体积比为(3.5~

4.5):1,CuFe2O4前驱液中Fe离子的浓度为0.3~0.5mol/L;

步骤2:采用旋涂法在基片上旋涂CuFe2O4前驱液,得CuFe2O4湿膜,CuFe2O4湿膜经匀胶后在250~300℃下烘烤10~15min得干膜,再于600~750℃下在空气中退火25~30min,得到晶态CuFe2O4薄膜;所述基片为FTO/玻璃基片、Si基片、SrTiO3单晶基片或LaNiO3单晶基片;

步骤3:待晶态CuFe2O4薄膜冷却后,在晶态CuFe2O4薄膜上重复步骤2,直至达到所需厚度,得到尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜。

2.根据权利要求1所述的尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤2在进行前,先将基片表面清洗干净,然后在紫外光下照射处理,使基片表面达到原子清洁度。

3.根据权利要求1所述的尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤2中匀胶时的匀胶转速为4200~4500r/min,匀胶时间为7~10s。

4.根据权利要求1所述的尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜的制备方法,其特征在于:所述的尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜由10~15层晶态CuFe2O4薄膜构成。

5.根据权利要求1-4中任意一项所述的尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜的制备方法制得的尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜,其特征在于:该薄膜的结构式为CuFe2O4,其结构为四方相的尖晶石结构,空间点群为I41/amd(141),该薄膜的饱和磁化强度Ms=110emu/cm3,剩余磁化强度Mr=71emu/cm3,矫顽力Hc=810Oe。