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专利号: 2018104295109
申请人: 桂林电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2025-10-14
缴费截止日期: 暂无
联系人

摘要:

权利要求书:

1.一种基于MIM波导耦合腔结构的多透射峰等离子体滤波器,其特征是:滤波器主要由金属膜(1)和多个狭缝结构单元组成,这些狭缝结构单元均开设在金属膜上,且多个纳米狭缝结构单元内部填充介质均为空气,这些狭缝结构单元由贯通在金属膜上下表面的多个横向矩形狭缝和多个纵向矩形狭缝组成,其中金属膜下端同在水平上的两个横向矩形狭缝结构单元为波导管的入射管(2)和出射管(3);波导管上方的三个横向矩形狭缝与四个纵向矩形狭缝结构单元构成一个整体的谐振腔,腔体上部位的横向矩形狭缝(10)的左端与左部位纵向长矩形狭缝(9)的上端以垂直方式相连通;腔体上部位横向矩形狭缝的右端与右部位纵向长矩形狭缝(8)的上端以垂直方式相连通;腔体左部位纵向短矩形狭缝(4)的右端与左部位纵向长矩形狭缝的中端以垂直方式相连通;腔体右部位纵向短矩形狭缝(5)的左端与右部位纵向长矩形狭缝的中端以垂直方式相连通;腔体下部位左边横向矩形狭缝(6)的左端与左部位纵向长矩形狭缝的下端以垂直方式相连通;腔体下部位右边横向矩形狭缝(7)的右端与右部位纵向长矩形狭缝的下端以垂直方式相连通。

2.根据权利要求1所述一种基于MIM波导耦合腔结构的多透射峰等离子体滤波器,其特征在于:入射波导管与出射波导管的宽度、长度均相等,中间相距长度为100nm。

3.根据权利要求1所述一种基于MIM波导耦合腔结构的多透射峰等离子体滤波器,其特征在于:谐振腔左部位纵向长矩形狭缝与右部位纵向长矩形狭缝的形状、尺寸均一致,其长度为535nm,宽度介于100nm~160nm。

4.根据权利要求1所述一种基于MIM波导耦合腔结构的多透射峰等离子体滤波器,其特征在于:腔体左部位纵向短矩形狭缝与右部位纵向短矩形狭缝形状、尺寸均一致,其长度介于100nm~300nm,宽度介于100nm~220nm。

5.根据权利要求1所述一种基于MIM波导耦合腔结构的多透射峰等离子体滤波器,其特征在于:腔体上部位横向矩形狭缝宽度为100nm,长度介于700nm~860nm。

6.根据权利要求1所述一种基于MIM波导耦合腔结构的多透射峰等离子体滤波器,其特征在于:腔体下部位的两个横向矩形狭缝的尺寸、形状均一致,其宽度为110nm,中间相距长度介于50nm~150nm。

7.根据权利要求1所述一种基于MIM波导耦合腔结构的多透射峰等离子体滤波器,其特征在于:金属膜厚度为100nm,金属膜的材料为银。

8.根据权利要求1所述一种基于MIM波导耦合腔结构的多透射峰等离子体滤波器,其特征在于:入射波导管与谐振腔的距离固定为10nm,出射波导管与谐振腔的距离介于10nm~

30nm。