1.一种多层透明导电膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1）溅射准备，将基底放置在磁控溅射反应室内，将反应室真空度抽至6 X 10-4Pa，然后充入纯度为99.99%的氩气作为溅射气体；

S2）靶材预溅射，分别选取纯度均为99.9%的底层靶材、顶层靶材和中间层Ag靶，并分别预溅射5min或15min；

S3）底层靶材射频溅射，底层靶材选用CO2、NiO或V2O5，溅射过程充入纯度为99.99%的氩气作为溅射气体，室温下控制压强2.0Pa、射频功率100W ，对底层靶材进行射频溅射5min或

10min；

S4）中间Ag层直流溅射，溅射过程充入纯度为99.99%的氩气作为溅射气体，同时充入纯度为99.99%的氧气作为反应气体，其中，氧气与氩气的体积比为1-3：100，室温下控制直流功率20W 对中间Ag层进行直流溅射40s-60s，并沉积在步骤S3的底层靶材上；

S5）顶层靶材射频溅射，顶层靶材选用CO2、NiO或V2O5，溅射过程充入纯度为99.99%的氩气作为溅射气体，室温下控制压强2.0Pa、射频功率100W ，对顶层靶材进行射频溅射5min或

10min，并沉积在步骤S4的中间Ag层上。

2.根据权利要求1所述的一种多层透明导电膜的制备方法，其特征在于，在步骤S1前还包括：S0）基底预处理，将基底依次在去离子水、丙酮、乙醇中进行超声清洗，然后用高纯氮气吹干。

3.根据权利要求2所述的一种多层透明导电膜的制备方法，其特征在于，所述超声清洗的时间均为10min-20min。

4.根据权利要求1所述的一种多层透明导电膜的制备方法，其特征在于，步骤S3射频溅射后的底层靶材厚度为30nm-50nm。

5.根据权利要求4所述的一种多层透明导电膜的制备方法，其特征在于，步骤S5射频溅射后的顶层靶材厚度与步骤S3射频溅射后的底层靶材厚度相同。

6.根据权利要求1所述的一种多层透明导电膜的制备方法，其特征在于，步骤S4直流溅射后的中间Ag层厚度为5nm-20nm。

7.一种多层透明导电膜，其特征在于，所述多层透明导电膜由权利要求1-6中任意一项制备得到。