1.一种金属互连结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1：提供具有互连线的下方介质层；

步骤S2：在下方介质层上依次形成富含氮的蚀刻终止检测层、多孔层间介质层、低K缓冲层、金属硬掩模层；

步骤S3：在所述金属硬掩模层上形成具有开口图案的光刻胶层，其中所述开口图案对准下方的所述互连线结构，并且开口的截面的宽度大于互连线的截面宽度；

步骤S4：以所述光刻胶的所述开口图案为掩模，对下方的所述金属硬掩模层和所述低K缓冲层进行第一刻蚀，形成第一开口结构；

步骤S5：以所述第一开口结构为掩模对下方的所述多孔层间介质层进行第二刻蚀，所述第二刻蚀采用的是飞秒激光刻蚀，所述飞秒激光在刻蚀所述多孔层间介质层时，通过对暴露的孔结构的局部熔化使暴露的所述孔结构密封；

步骤S6：通过检测，当刻蚀到所述富含氮的蚀刻终止检测层时，采用第三刻蚀，并在刻蚀过程中通入氢气还原气体；其中的第一刻蚀为二氧化碳等离子体刻蚀，第三刻蚀为氨等离子体刻蚀，并且所述第三刻蚀的源功率大于所述第一刻蚀的源功率；

步骤S7：在暴露出下方的所述互连线之后，持续通入氢气并对所述的下方介质层进一步的过刻蚀，最终获得多孔层间介质层中的第二开口结构；其中的所述持续通入氢气的时间为1-10min，并且其中对下方层间介质层过刻蚀的量为1-20nm；

步骤S8：在所述第二开口结构中依次形成阻挡层、晶种层和金属层，形成金属互连结构。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，其中所述光刻胶的厚度为250-300nm，所述金属硬掩模层的厚度为15-20nm，所述层间介质层的厚度为200-300nm。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，其中的所述步骤S4中的形成所述开口结构之后还包括有去除剩余所述光刻胶的步骤。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，其中的所述步骤S8之后，还包括有平坦化的步骤，并最终在平坦化金属层时去除金属硬掩模层和低K缓冲层。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，其中的所述的下方介质层的所述互连线为铜互连线，所述低K缓冲层为多孔的二氧化硅。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述多孔层间介质层为低K或者超低K材料。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述富含氮的蚀刻终止检测层为含氮的氧化硅。