1.一种金属互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底层，所述基底层中含有器件结构；

在所述基底层上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层内形成贯穿其厚度的接触孔，所述接触孔底部暴露所述器件结构；

在所述第一绝缘层表面及接触孔内形成导电层，当接触孔内所述导电层中的缝隙开口宽度为接触孔宽度的十分之一～八分之一时，停止形成所述导电层工艺；

在所述导电层表面及所述缝隙内形成第二绝缘层；

采用抛光液抛光所述第二绝缘层及所述导电层至露出所述第一绝缘层，形成导电插塞，其中所述抛光液抛光所述第二绝缘层的速率小于抛光所述导电层的速率。

2.如权利要求1所述金属互连结构的形成方法，其特征在于，所述导电层的材料为钨或铝，形成所述导电层的工艺为化学气相沉积法。

3.如权利要求1所述金属互连结构的形成方法，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的材料为氮化硅或氧化硅。

4.如权利要求3所述金属互连结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二绝缘层的工艺为原子层沉积法。

5.如权利要求3所述金属互连结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一绝缘层的工艺为化学气相沉积法。

6.如权利要求1所述金属互连结构的形成方法，其特征在于，抛光所述第二绝缘层及所述导电层的抛光液材料与所述导电层材料匹配。

7.如权利要求6所述金属互连结构的形成方法，其特征在于，抛光所述第二绝缘层及所述导电层的工艺，包括下列步骤：先采用抛光液抛光所述第二绝缘层至所述导电层，使所述缝隙中的第二绝缘层表面与所述导电层表面齐平；

采用抛光液抛光所述导电层及所述缝隙中的第二绝缘层至露出所述第一绝缘层。

8.如权利要求7所述金属互连结构的形成方法，其特征在于，所述抛光液抛光所述导电层与所述第二绝缘层的速率比为10:1～20:1。

9.如权利要求1所述金属互连结构的形成方法，其特征在于，在所述第一绝缘层表面及接触孔内形成所述导电层步骤之前，还包括如下步骤：在所述接触孔侧壁及底部形成阻挡层。

10.如权利要求9所述金属互连结构的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为钛或氮化钛。

11.一种如权利要求1～10任一项所述的方法形成的金属互连结构，其特征在于，包括：基底层，所述基底层中含有器件结构；

第一绝缘层，位于所述基底层上；

接触孔，位于所述第一绝缘层内且贯穿其厚度，所述接触孔底部暴露所述器件结构；

导电层，填充所述接触孔；

缝隙，位于导电层中，且所述缝隙开口宽度为接触孔宽度的十分之一～八分之一；

第二绝缘层，填充满所述缝隙。