1.一种稀磁半导体的制备方法，其特征在于：所述制备方法包括如下步骤：制备复合氧化铟靶材，所述复合氧化铟靶材的分子式为(In1-x-y-zFexCoyGdz)2O3，其中，x＝0.02-0.04，y＝0.01-0.02，z＝0.01-0.02；

提供氧化铝基片，并对所述氧化铝基片进行清洗和抛光，得到第一氧化铝基片；

将所述第一氧化铝基片放入真空室进行预溅射，得到第二氧化铝基片；

利用脉冲激光沉积方法，在所述第二氧化铝基片上沉积氧化铜薄膜，得到第一复合氧化铝基片；

利用脉冲激光沉积方法，在所述第一复合氧化铝基片上沉积氧化亚铜薄膜，得到第二复合氧化铝基片；

利用脉冲激光沉积方法，在所述第二复合氧化铝基片上沉积铁钴钆掺杂的氧化铟薄膜。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：制备复合氧化铟靶材的具体工艺为：以In2O3、Fe2O3、Gd2O3以及CoO为原料，按照所述分子式对所述原料进行重量配比；

对配比之后的各原料进行研磨，并对研磨之后的原料进行真空预烧结，所述真空预烧结工艺为：烧结温度为800-900℃，烧结时间为5-10h；

对真空预烧结之后的粉末进行第二研磨；

对第二研磨之后的粉末进行真空烧结，所述真空烧结工艺为：烧结温度为1150-1200℃，烧结时间为13-15h。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：沉积氧化铜薄膜的具体工艺为：以氧化铜烧结靶为溅射靶材，所述第二氧化铝基片温度为300-400℃，激光能量为100-200mJ/脉冲，激光频率为10-20Hz。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：沉积氧化亚铜薄膜的具体工艺为：以氧化铜烧结靶为溅射靶材，所述第一复合氧化铝基片温度为400-500℃，激光能量为100-

200mJ/脉冲，激光频率为10-20Hz。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：沉积铁钴钆掺杂的氧化铟薄膜的具体工艺为：以所述复合氧化铟靶材为溅射靶材，所述第二复合氧化铝基片温度为600-650℃，激光能量为300-400mJ/脉冲，激光频率为15-25Hz。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述氧化铜薄膜厚度为15-20nm。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述氧化亚铜薄膜厚度为10-15nm。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述铁钴钆掺杂的氧化铟薄膜厚度为

25-35nm。

9.一种稀磁半导体，所述稀磁半导体由下到上依次包括：氧化铝基片、氧化铜层、氧化亚铜层以及铁钴钆掺杂的氧化铟层，其特征在于：所述稀磁半导体是由如权利要求1-8之一所述的制备方法制备的。