1.一种MIM电容器结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）提供半导体衬底，具有相对的上表面和下表面，在所述上表面上具有多个功能器件；

（2）形成隔离沟槽，包括：在所述半导体中、位于功能器件之间的位置刻蚀出沟槽，并在沟槽的侧壁和底壁沉积一层金属屏蔽层，然后沉积并填充第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖整个上表面和所述功能器件，并且高出所述上表面一定的高度，所述隔离沟槽设置在所述半导体衬底中并位于所述功能器件之间；

（3）在隔离沟槽中形成MIM电容器，包括：在隔离沟槽中的第一绝缘层刻蚀出两个垂直于所述上表面的电极槽，并用金属材料填充所述电极槽；

（4）形成电连接所述MIM电容器和所述功能器件的多个导电通路，包括：在第一绝缘层上形成第二绝缘层，并通过刻蚀开口形成纵向导电通路和通过沉积、光刻形成横向导电通路。

2.根据权利要求1所述的MIM电容器结构的制造方法，其特征在于，所述屏蔽层为接地的铜金属层、铝金属层、镍金属层或钛金属层。

3.根据权利要求1所述的MIM电容器结构的制造方法，其特征在于，还包括在所述第二绝缘层上覆盖第三绝缘层。

4.根据权利要求1所述的MIM电容器结构的制造方法，其特征在于，所述第一绝缘层的材料为氮化硅，第二绝缘层和第三绝缘层的材料为二氧化硅。

5.根据权利要求1所述的MIM电容器结构的制造方法，其特征在于，还包括减薄所述半导体衬底的下表面。