1.一种大功率LED双层半球结构封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：a、制备封装散热基板，将LED灯芯焊接在所述封装散热基板上；

b、在所述封装散热基板上涂覆第一透镜硅胶，形成若干第一半球形透镜，其中所述第一半球形透镜为半球形凸透结构；

c、在所述第一半球形透镜上部涂覆第一硅胶层；

d、在所述第一硅胶层上涂覆第二透镜硅胶，形成若干第二半球形透镜，其中所述第二半球形透镜为半球形凸透结构；

e、在所述第二半球形透镜上部涂覆第二硅胶层；

其中，所述第二半球形透镜、所述第二硅胶层中至少一层具有荧光粉，所述LED灯芯为紫外灯芯。

2.根据权利要求1所述的大功率LED双层半球结构封装工艺，其特征在于，所述步骤a具体包括：a1、选择原始散热基板；

a2、在所述原始散热基板一平面沿着宽度方向开设若干间隔预定距离的槽体，得到所述封装散热基板；

其中，所述槽体为半圆柱型，且所述槽体为倾斜槽体，所述槽体一端深度大于另一端深度。

3.根据权利要求1所述的大功率LED双层半球结构封装工艺，其特征在于，所述步骤b具体包括：b1、在所述封装散热基板上涂覆第一透镜硅胶；

b2、将第一半球形模具罩在所述第一透镜硅胶上，形成第一半球形透镜；

b3、对所述封装散热基板和所述第一半球形透镜在第一预定温度下烤制第一预定时间；

b4、去除所述第一半球形模具。

4.根据权利要求3所述的大功率LED双层半球结构封装工艺，其特征在于，所述步骤d具体包括：d1、在所述第一硅胶层上涂覆第二透镜硅胶；

d2、将所述第一半球形模具罩在所述第二透镜硅胶上，形成第二半球形透镜；

d3、对第二半球形透镜在所述第一预定温度下烤制所述第一预定时间；

d4、去除所述第一半球形模具。

5.根据权利要求3或4所述的大功率LED双层半球结构封装工艺，其特征在于，所述第一预定温度为90℃-125℃，所述第一预定时间为15min-60min。

6.根据权利要求4所述的大功率LED双层半球结构封装工艺，其特征在于，所述步骤e具体包括：e1、利用第二半球形模具在所述第二硅胶层上形成半球形凸透结构；

e2、对所述半球形凸透结构在第二预定温度下烤制第二预定时间；

e3、去除所述第二半球形模具。

7.根据权利要求6所述的大功率LED双层半球结构封装工艺，其特征在于，所述第二预定温度为100℃-150℃，所述第二预定时间为4h-12h。

8.根据权利要求1-7任一项所述的大功率LED双层半球结构封装工艺，其特征在于，所述第一硅胶层的折射率小于所述第二硅胶层的折射率；且所述第一半球形透镜的折射率大于所述第一硅胶层的折射率，所述第二半球形透镜的折射率大于所述第二硅胶层的折射率。

9.根据权利要求1所述的大功率LED双层半球结构封装工艺，其特征在于，所述第一半球形透镜、所述第二半球形透镜分别在所述封装散热基板上和所述第一硅胶层上形成规则的阵列。

10.根据权利要求1所述的大功率LED双层半球结构封装工艺，其特征在于，所述封装散热基板为铜板。