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专利号: 2017110328514
申请人: 济南大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2026-11-04
缴费截止日期: 暂无
联系人

摘要:

权利要求书:

1.带有可调型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管,包括:源极金属,场氧化层和位于场氧化层下方的漂移区,其特征在于,在所述场氧化层的表面设置若干可调型场板,相邻两个可调型场板之间间隔设定距离;

每一个可调型场板均连接调节电容;所述可调型场板与调节电容的正电极相连接,在所述调节电容正电极上方设置调节电容负电极;所有调节电容的负电极通过金属互连线与源极金属连接;

通过设置可调型场板和调节电容的正负电极的尺寸,能够调节可调型场板上的感应电荷量和感应电位,使得漂移区内获得均匀的表面横向电场分布。

2.如权利要求1所述的带有可调型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管,其特征在于,所述调节电容的正、负电极大小相等,完全对齐。

3.如权利要求1所述的带有可调型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管,其特征在于,在源极金属到漏极金属的方向上,所述调节电容的正、负电极之间相互覆盖的面积依次递减。

4.如权利要求1所述的带有可调型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管,其特征在于,所述源极金属和漏极金属之间的空隙采用绝缘介质层填充。

5.如权利要求1所述的带有可调型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管,其特征在于,所述可调型场板和调节电容的正、负电极的长度和/或宽度根据实际需要进行设计。

6.如权利要求1所述的带有可调型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管,其特征在于,所述可调型场板沿宽度方向断续设置,将宽度方向上的可调型场板分成若干个可调型场板单元,每一个可调型场板单元均连接相应的调节电容单元。

7.一种应用于打印机、电动机或者平板显示器上的驱动芯片,其特征在于,采用权利要求1-6所述的任一种带有可调型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管。

8.一种打印机,其特征在于,采用权利要求7所述的驱动芯片。

9.一种电动机,其特征在于,采用权利要求7所述的驱动芯片。

10.一种平板显示器,其特征在于,采用权利要求7所述的驱动芯片。