1.一种半导体材料制备扩散炉，包括炉体(1)，其特征在于，所述炉体(1)的内壁设置有螺旋状的电加热丝(2)，所述炉体(1)的底面贯穿有进气管(3)，所述进气管(3)的管壁位于炉体(1)的内壁固定连接有多个喷头(4)，所述炉体(1)的内壁设置有截面呈L型的支撑筒(5)，所述支撑筒(5)的内壁固定连接有多个放置盘(6)，所述支撑筒(5)的内壁开设有若干间隔排列的通气孔(7)，所述炉体(1)内壁的上侧卡接有炉盖(8)，所述炉体(1)右面从上至下依次固定连接有呈L型的出气管(9)、冷却筒(10)、净化箱(11)，所述冷却筒(10)的内壁设置有包覆范围可变的冷却装置，所述净化箱(11)的内壁设置有包覆范围可变的净化装置。

2.根据权利要求1所述的一种半导体材料制备扩散炉，其特征在于，所述冷却装置包括设置在冷却筒(10)内壁的螺旋导流片(12)，所述冷却筒(10)的顶面固定连接有进水管(13)，所述冷却筒(10)底面固定连接有出水管(14)。

3.根据权利要求2所述的一种半导体材料制备扩散炉，其特征在于，所述净化装置包括设置在净化箱(11)内壁的多个活动框(15)，所述净化箱(11)内壁的前后两侧位于多个活动框(15)的底面均固定连接有两个限位条(16)，多个所述活动框(15)的内壁均设置有净化滤网(17)。

4.根据权利要求3所述的一种半导体材料制备扩散炉，其特征在于，所述出气管(9)的下端贯穿冷却筒(10)的顶面与其内壁的下侧延伸至其底面并与净化箱(11)的顶面固定连接，所述螺旋导流片(12)的内壁与出气管(9)的管壁固定连接，多个所述活动框(15)的右面均贯穿净化箱(11)内壁右侧延伸至其右面。

5.根据权利要求1所述的一种半导体材料制备扩散炉，其特征在于，所述炉体(1)的底面固定连接有多个支腿(18)。

6.根据权利要求1所述的一种半导体材料制备扩散炉，其特征在于，所述炉盖(8)顶面的中心处固定连接有第一把手(19)。

7.根据权利要求3所述的一种半导体材料制备扩散炉，其特征在于，多个所述活动框(15)的右面均固定连接有第二把手(20)。