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1.一种GaN中子探测器用的 B4C中子转换层制备方法，其特征在于：包括以下步骤：1.01.将半绝缘GaN衬底经过化学机械抛光并剪薄为200μm，作为GaN探测器体材料；

1.02.将GaN探测器体材料放入水浴85℃的HCL∶HNO3＝3∶1混合液中煮沸2分钟，对其表面处理，去除GaN表面的氧化物；

1.03.将煮沸后的所述GaN探测器体材料放入C2HCl3、丙酮、异丙醇和冷热去离子水中各超声清洗5分钟，去除GaN探测器体材料表面的有机物和无机物的沾污，利用高纯氮气吹干，留作后续工艺待用；

1.04.在清洗后的所述GaN探测器体材料的正表面涂光刻胶，利用光刻方法在GaN探测器体材料正表面形成含有图形化的光刻胶；

1.05.利用真空镀膜设备，在含有图形化光刻胶的所述GaN探测器体材料上沉积Cr/Pt/Au，形成正面金属电极；

1.06.利用去胶剥离液将所述步骤1.04中的光刻胶剥离，形成含有图形的正面金属电极；

1.07.重复所述步骤1.04、1.05、1.06，在GaN探测器体材料的背面沉积Cr/Pt/Au，形成背面金属电极；

1.08.将上述含有金属电极的GaN探测器体材料放入快速热处理设备中，形成良好的欧姆接触电极，完成GaN器件制备；

1.09.用铝线在GaN器件的正面电极和背面电极的边缘分别通过银浆引出电极外引线；

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1.10.将中子转换材料 B4C粉末利用研磨机研磨，研磨后的 B4C的颗粒度直径为1～3um；

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1.11.将 B4C粉末、丙酮和异丙醇导入烧杯中，利用玻璃搅拌棒搅拌均匀后装入胶管滴

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管中，并放入超声波清洗机中超声10分钟，形成含有 B4C的混合液；

1.12.将制备好正面电极的GaN器件放在匀胶机托盘上，打开真空泵，GaN器件与匀胶机

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托盘吸附，用胶管滴管将含有 B4C的混合液滴在GaN器件的正表面，待溶液完全铺满器件，盖好匀胶机的保护罩；打开匀胶机电源，匀胶机按设定的程序工作，待匀胶机停止旋转后，

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开启加热按钮，温度设置为120度，加热时间600秒，使含有 B4C的混合液中的液体挥发，

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B4C中子转换材料均匀并凝固在GaN器件的正表面；

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1.13.重复所述步骤1.12，B4C中子转换材料均匀并凝固在GaN器件的背表面；

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1.14.将聚酰亚胺滴在含有 B4C的GaN器件的正表面和背表面，并放入已设定好烘烤温度的烤箱中烘烤；

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1.15.取出样品，完成GaN中子探测器用的 B4C中子转换层的制备。

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2.根据权利要求1所述一种GaN中子探测器用的 B4C中子转换层制备方法，其特征在于：所述光刻胶为负胶，胶的厚度为1～30μm。

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3.根据权利要求1所述一种GaN中子探测器用的 B4C中子转换层制备方法，其特征在于：所述真空镀膜设备为热蒸发、电子束蒸发和磁控溅射中的一种或几种，真空度不高于8‑6×10 pa。

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4.根据权利要求1所述一种GaN中子探测器用的 B4C中子转换层制备方法，其特征在于：所述Cr、Pt、Au的金属厚度分别为20～50nm、30～80nm、300～1000nm。

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5.根据权利要求1所述一种GaN中子探测器用的 B4C中子转换层制备方法，其特征在于：所述热处理设备为快速热退火炉，退火温度为300～600℃，退火氛围为氮气氛围或不高于1Pa真空氛围，退火时间为300～900秒。

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6.根据权利要求1所述一种GaN中子探测器用的 B4C中子转换层制备方法，其特征在于：

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所述丙酮和异丙醇的溶液摩尔比为1∶1～1∶5，B4C粉末的质量为0.3～1克。

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7.根据权利要求1所述一种GaN中子探测器用的 B4C中子转换层制备方法，其特征在于：所述匀胶机的第一转速为400～600转/分钟，时间为5～10秒；

所述匀胶机的第二转速为1000～12000转/分钟，时间为20～60秒。

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8.根据权利要求1所述一种GaN中子探测器用的 B4C中子转换层制备方法，其特征在于：所述烘烤温度为150～200℃，时间2～4小时。