1.一种以La1-xSrxInO3微球为增强相的Ag基电接触材料制备方法，其特征在于，具体包括如下步骤：

(1)采用水热一步法制备表面载银改性的La1-xSrxInO3微球；

(2)通过混料器将上述载银La1-xSrxInO3微球与金属Ag粉混合均匀，其中载银La1-xSrxInO3微球的质量比为10％～24％；

(3)将混合均匀后的粉体采用粉末冶金法，依次通过等静压制坯、烧结、复压、复烧、热挤压拉拔成型工艺环节后，制备出Ag/La1-xSrxInO3电接触复合材料。

2.根据权利要求1所述的以La1-xSrxInO3微球为增强相的Ag基电接触材料制备方法，其特征在于，步骤(1)中所采用水热一步法制备表面载银改性的La1-xSrxInO3微球的方法是：按化学计量比称取La(NO3)3、Sr(NO3)2、InCl3·4H2O，混粉并溶于去离子水中；在充分搅拌的条件下，加入适量柠檬酸作有机络合剂，用氨水调节pH并形成溶胶，用水浴或油浴控制恒温，静置陈化一段时间后，搅拌状态下将现配的银氨溶液缓慢加入上述溶胶中，待混合液均匀后，加入足量还原剂，继续搅拌10～90min后将得到的前驱体溶液加入到50～200ml的水热反应釜中，填充度为50％～80％，置于120～250℃下反应10～60h，取出离心清洗、烘干；将烘干后的粉末进行煅烧，烧结温度600～1000℃，保温3～18h，随炉冷却得到La1-xSrxInO3微球；

其中，La1-xSrxInO3导电陶瓷微球中X的范围为0.05～0.3，络合剂柠檬酸用量与溶胶中金属离子的总量之比N/J为0.5:1～3:1，陈化过程中的保持恒温为45～120℃，静置陈化时间为30～600min，控制最终得到的载银La1-xSrxInO3微球粒径分布在5～50μm之间。

3.根据权利要求1所述的以La1-xSrxInO3微球为增强相的Ag基电接触材料制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述混粉工艺中，载银La1-xSrxInO3微球粒径范围为5～50μm，银粉的纯度为99.99％，粒径范围为20～100μm，混粉时间2～8h。

4.根据权利要求1所述的以La1-xSrxInO3微球为增强相的Ag基电接触材料制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述等静压制坯的压强范围为30～300MPa。

5.根据权利要求1所述的以La1-xSrxInO3微球为增强相的Ag基电接触材料制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述烧结工艺，是指在氩气气氛保护下烧结，烧结温度720～950℃，保温时间3～12h。

6.根据权利要求1所述的以La1-xSrxInO3微球为增强相的Ag基电接触材料制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述复压工艺，是在300～800℃下进行热压，压强范围500～1000MPa，保压时间2～30min。

7.根据权利要求1所述的以La1-xSrxInO3微球为增强相的Ag基电接触材料制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述复烧工艺，是指在氩气保护下再次烧结，烧结温度720～950℃，烧结时间3～12h。

8.根据权利要求1所述的以La1-xSrxInO3微球为增强相的Ag基电接触材料制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述热挤压拉拔成型工艺中，模具预热温度为350～860℃，坯料温度为500～800℃，挤压比范围为16～225，挤压速度为10～60m/min。