1.一种低Cd电触头增强相材料，其特征在于，所述增强相材料元素组成为Ti和Cd，其元素摩尔比为2:1，属于Ti/Cd金属间化合物的一种。

2.根据权利要求1所述的一种低Cd电触头增强相材料，其特征在于，所述增强相材料元素为Ti2Cd颗粒，为类球形，颗粒尺寸为1‑50μm。

3.权利要求1或2任一项所述的低Cd电触头增强相材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1:按摩尔比称取Ti粉、Cd粉；

S2:将步骤S1中Ti粉、Cd粉末充分混合，得到均匀混合粉末；

S3:将步骤S2中混合物粉末在惰性气体保护下烧结，以一定升温速率加热到设定温度并保温一段时间；

S4:将步骤S3中烧结的样品取出，磨粉过筛即可得到低Cd电触头增强相材料。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述Ti粉的纯度大于90％，粒径为1‑100μm；Cd粉的纯度大于90％，粒径为1‑200μm；Ti:Cd摩尔比为(2‑2.9):(1‑1.75)。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤S3中所述惰性气体为Ar气或N2气，升温速率为3‑30℃/min，设定温度为300‑1200℃，保温时间为0.5‑4h。

6.一种低Cd银基复合电触头材料，其特征在于，由权利要求1或2所述的低Cd电触头增强相材料制备得到。

7.根据权利要求6所述的低Cd银基复合电触头材料，其特征在于，Ag基占所述低Cd银基复合电触头材料质量百分比为50％‑95％，增强相材料占所述低Cd银基复合电触头材料质量百分比为5％‑50％。

8.一种权利要求6或7所述的低Cd银基复合电触头材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1:按质量百分比称取Ag粉、所制备的Ti2Cd粉、介质液体和研磨球；

S2:将步骤S1中称量的粉末、介质液体和研磨球在球磨机中进行混合，将球磨后混合物干燥，得到混合料；

S3:将步骤S2中的混合料置于可通电模具中，通过调节电流大小控制模具温度；

S4:将步骤S3中的混合粉在惰性气体保护下通过动态压烧技术制备复合块体材料。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述Ag粉纯度大于90％，粒径为1‑100μm；Ti2Cd粉纯度大于90％，粒径为1‑50μm；介质液体包含酒精、丙酮和去离子水，其中酒精、丙酮纯度均大于95％，去离子水电阻率为1‑5μS/cm；研磨球直径1‑8mm；研磨球:介质液体:粉料质量比为(1‑3):(0.5‑3):1；步骤S3中通电电流大小为6‑24A，升温速率为5‑

25℃/min，模具温度为300‑800℃。

10.权利要求6或7所述的低Cd银基复合电触头材料在制备低压开关中的应用。