1.一种高磁性Bi0.96Sr0.04FeO3基/CoFe2O4复合薄膜，其特征在于：包括复合在一起的上层膜和下层膜，其中下层膜为CoFe2O4晶态膜，上层膜为Bi0.96Sr0.04FeO3基晶态膜，其结构式为Bi0.96Sr0.04Fe1-x-yMnxCoyO3，x＝0～0.04，y＝0～0.02，且x、y不同时为0；所述的Bi0.96Sr0.04FeO3基晶态膜属于R3c:H空间群，具有三方结构；CoFe2O4晶态膜属于R3c:H空间群，具有三方结构，晶胞参数a＝b＝c＝8.3763。

2.根据权利要求1所述的高磁性Bi0.96Sr0.04FeO3基/CoFe2O4复合薄膜，其特征在于：所述的高磁性Bi0.96Sr0.04FeO3基/CoFe2O4复合薄膜包括Bi0.96Sr0.04Fe0.98Co0.02O3/CoFe2O4复合薄膜、Bi0.96Sr0.04Fe0.96Mn0.04O3/CoFe2O4复合薄膜和Bi0.96Sr0.04Fe0.94Mn0.04Co0.02O3/CoFe2O4复合薄膜；

其中Bi0.96Sr0.04Fe0.98Co0.02O3/CoFe2O4复合薄膜室温下的饱和磁化值为74emu/cm3，剩余磁化值为47emu/cm3；在1kHz测试频率下，其介电常数为435；在200kV/cm电场下，其漏电流-5 2 2密度为1.83×10 A/cm ；当最大测试电场为500kV/cm时，其饱和极化强度为100μC/cm ，剩余极化强度为84μC/cm2，矫顽场为376kV/cm；

Bi0.96Sr0.04Fe0.96Mn0.04O3/CoFe2O4复合薄膜室温下的饱和磁化值为71emu/cm3，剩余磁化值为46emu/cm3；在1kHz测试频率下，其介电常数为750；在200kV/cm电场下，其漏电流密度为4.46×10-6A/cm2；当最大测试电场为500kV/cm时，其饱和极化强度为123μC/cm2，剩余极化强度为104μC/cm2，矫顽场为326kV/cm；

Bi0.96Sr0.04Fe0.94Mn0.04Co0.02O3/CoFe2O4复合薄膜室温下的饱和磁化值为108emu/cm3，剩余磁化值为60emu/cm3；在1kHz测试频率下，其介电常数为800；在200kV/cm电场下，其漏电流密度为1.37×10-5A/cm2；当最大测试电场为500kV/cm时，其饱和极化强度为167μC/cm2，剩余极化强度为150μC/cm2，矫顽场为324kV/cm。

3.一种高磁性Bi0.96Sr0.04FeO3基/CoFe2O4复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：将Co(NO3)2·6H2O和Fe(NO3)3·9H2O按摩尔比为1:2溶于乙二醇甲醚中，搅拌均匀后再加入醋酸酐，得到CoFe2O4前驱液；其中CoFe2O4前驱液中Co离子的浓度为0.15～

0.3mol/L；

步骤2：按摩尔比为1.01:0.04:1-x-y:x:y将Bi(NO3)3·5H2O、Sr(NO3)2、Fe(NO3)3·9H2O、C6H9MnO6·2H2O、Co(NO3)2·6H2O溶于溶剂中，得到Bi0.96Sr0.04FeO3基薄膜前驱液，其中x＝0～0.04，y＝0～0.02，且x、y不同时为0，Bi0.96Sr0.04FeO3基薄膜前驱液中金属离子的总浓度为0.25～0.35mol/L，溶剂为乙二醇甲醚和醋酸酐的混合液；

步骤3：采用旋涂法在基片上旋涂CoFe2O4前驱液，得到CoFe2O4湿膜，CoFe2O4湿膜经匀胶后在180～210℃下烘烤得干膜，再于580～600℃下在空气中退火，得到晶态CoFe2O4薄膜；

步骤4：待晶态CoFe2O4薄膜冷却后，在晶态CoFe2O4薄膜上重复步骤3，直至达到所需厚度，得到CoFe2O4晶态膜；

步骤5：在CoFe2O4晶态膜上旋涂Bi0.96Sr0.04FeO3基薄膜前驱液，得到Bi0.96Sr0.04FeO3基湿膜，Bi0.96Sr0.04FeO3基湿膜经匀胶后在180～210℃下烘烤得干膜，再在空气中退火，得到晶态Bi0.96Sr0.04FeO3基薄膜；其中退火温度为540～550℃；

步骤6：待晶态Bi0.96Sr0.04FeO3基薄膜冷却后，在其上重复步骤5，直至达到所需厚度，即得到高磁性Bi0.96Sr0.04FeO3基/CoFe2O4复合薄膜。

4.根据权利要求3所述的高磁性Bi0.96Sr0.04FeO3基/CoFe2O4复合薄膜的制备方法，其特征在于：所述的CoFe2O4前驱液中乙二醇甲醚和醋酸酐的体积比为(2.5～3.5):1；所述步骤2的溶剂中乙二醇甲醚和醋酸酐的体积比为(2.5～3.5):1。

5.根据权利要求3所述的高磁性Bi0.96Sr0.04FeO3基/CoFe2O4复合薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤3在进行前，先对基片进行清洗，然后在紫外光下照射处理，使基片表面达到原子清洁度，再旋涂CoFe2O4前驱液；

所述步骤5在进行前，先对CoFe2O4晶态膜进行紫外光照射处理，使CoFe2O4晶态膜表面达到原子清洁度，再旋涂Bi0.96Sr0.04FeO3基薄膜前驱液。

6.根据权利要求3所述的高磁性Bi0.96Sr0.04FeO3基/CoFe2O4复合薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤3和步骤5中匀胶时的匀胶转速为3600～4000r/min，匀胶时间为10～15s。

7.根据权利要求3所述的高磁性Bi0.96Sr0.04FeO3基/CoFe2O4复合薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤3和步骤5中匀胶后的烘烤时间为6～10min。

8.根据权利要求3所述的高磁性Bi0.96Sr0.04FeO3基/CoFe2O4复合薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤3中的退火时间为7～15min，步骤5中的退火时间为6～12min。

9.根据权利要求3所述的高磁性Bi0.96Sr0.04FeO3基/CoFe2O4复合薄膜的制备方法，其特征在于：所述的高磁性Bi0.96Sr0.04FeO3基/CoFe2O4复合薄膜由4～8层晶态CoFe2O4薄膜和8～

15层晶态Bi0.96Sr0.04FeO3基薄膜构成。