1.一种2-2型BiFeO3-CuFe2O4复合薄膜，其特征在于：包括复合在一起的上层膜和下层膜，其中上层膜为BiFeO3晶态膜，下层膜为CuFe2O4晶态膜；所述的BiFeO3晶态膜为扭曲的钙钛矿结构，菱形晶系，空间点群为R3c:H(161)；CuFe2O4晶态膜为四方相，尖晶石结构，空间点群为I41/amd(141)；

其饱和磁化强度Ms为25.8emu/cm3，剩余磁化强度Mr为17.8emu/cm3；在-200kV/cm的负向电场偏压下，其漏电流密度为3.87×10-2A/cm2；

正负偏压下漏电流密度曲线不对称，且在正向偏压下存在一个电阻滞后现象。

2.一种2-2型BiFeO3-CuFe2O4复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，将硝酸铜和硝酸铁按摩尔比为1:2溶于乙二醇甲醚中，搅拌均匀后再加入醋酸酐，得到CuFe2O4前驱液，CuFe2O4前驱液中Fe离子的浓度为0.1～0.2mol/L；

步骤2，将硝酸铋和硝酸铁按摩尔比为1:1溶于溶剂中，得到BiFeO3前驱液，其中BiFeO3前驱液中金属离子的总浓度为0.003～0.3mol/L，溶剂为乙二醇甲醚和醋酸酐的混合液；

步骤3，采用旋涂法在基片上旋涂CuFe2O4前驱液，得CuFe2O4湿膜，CuFe2O4湿膜经匀胶后在250～300℃下烘烤得干膜，再于610～620℃下在空气中退火，退火时间为25～30min，得到晶态CuFe2O4薄膜；

步骤4，待晶态CuFe2O4薄膜冷却后，在晶态CuFe2O4薄膜上重复步骤3，直至达到所需厚度，得到CuFe2O4晶态膜；

步骤5，在CuFe2O4晶态膜上旋涂BiFeO3前驱液，得BiFeO3湿膜，BiFeO3湿膜经匀胶后在

220～250℃下烘烤得干膜，再于555～565℃下在空气中退火，退火时间为8～12min，得到晶态BiFeO3薄膜；

步骤6，待晶态BiFeO3薄膜冷却后，在晶态BiFeO3薄膜上重复步骤5，直至达到所需厚度，得到2-2型BiFeO3-CuFe2O4复合薄膜；

所述步骤3和步骤5中匀胶时的匀胶转速为4200～4500r/min，匀胶时间为7～10s；

所述步骤3和步骤5中匀胶后的烘烤时间为10～15min。

3.根据权利要求2所述的2-2型BiFeO3-CuFe2O4复合薄膜的制备方法，其特征在于：所述的CuFe2O4前驱液中乙二醇甲醚和醋酸酐的体积比为(3.5～4.5):1；所述步骤2的溶剂中乙二醇甲醚和醋酸酐的体积比为(2.5～3.5):1。

4.根据权利要求2所述的2-2型BiFeO3-CuFe2O4复合薄膜的制备方法，其特征在于：所述的基片为FTO/玻璃基片、Si基片、SrTiO3单晶基片或LaNiO3单晶基片。

5.根据权利要求2所述的2-2型BiFeO3-CuFe2O4复合薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤3在进行前，先对基片进行清洗，然后在紫外光下照射处理，使基片表面达到原子清洁度，再旋涂CuFe2O4前驱液；

所述步骤5在进行前，先对CuFe2O4晶态薄膜进行紫外光照射处理，使CuFe2O4晶态膜表面达到原子清洁度，再旋涂BiFeO3前驱液。

6.根据权利要求2所述的2-2型BiFeO3-CuFe2O4复合薄膜的制备方法，其特征在于：所述的2-2型BiFeO3-CuFe2O4复合薄膜由1～6层晶态CuFe2O4薄膜和3～15层晶态BiFeO3薄膜构成。