1.一种声表面波滤波器的加工方法，其特征在于，包括：提供基片，所述基片为具有压电效应的材料；

在所述基片上加工形成发射叉指型电极及接收叉指型电极；

在所述基片的表面加工形成基体，所述基体处于所述发射叉指型电极及所述接收叉指型电极之间；

对所述基体进行预定义加工，形成通孔；

在所述通孔中形成散射体，得到声表面波滤波器，所述基体的声阻抗大于所述散射体的声阻抗。

2.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述在所述基片上加工形成发射叉指型电极及接收叉指型电极包括：在所述基片表面形成金属薄层；

通过光蚀刻工艺对所述金属薄层进行加工，形成发射叉指型电极及接收叉指型电极。

3.根据权要求2所述的加工方法，其特征在于，所述通过光蚀刻工艺对所述金属薄层进行加工，形成发射叉指型电极及接收叉指型电极之后，还包括：在所述基片的边界表面加工形成吸收层。

4.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述在所述基片的表面加工形成基体包括：通过电镀工艺在所述基片表面形成基体。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的加工方法，其特征在于，所述加工方法还包括：在所述基体上制作输入电极和输出电极，所述输入电极与所述发射叉指型电极连接，所述输出电极与所述接收叉指型电极连接。

6.一种声表面波滤波器，其特征在于，包括：基片、发射叉指型电极、接收叉指型电极、基体及散射体，所述基体的声阻抗大于所述散射体的声阻抗；

所述发射叉指型电极和所述接收叉指型电极处于所述基片上；

所述基体处于所述基片表面，且处于所述发射叉指型电极和所述接收叉指型电极之间；

所述散射体具有通孔，所述散射体处于所述通孔中。

7.根据权利要求6所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述基片为具有压电效应的材料。

8.根据权利要求6或7所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述声表面波滤波器还包括：输入电极和输出电极；

所述输入电极与所述发射叉指型电极连接，所述输出电极与所述接收叉指型电极连接。

9.根据权利要求6或7所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述声表面波滤波器还包括：吸收层，所述吸收层处于所述基片的边界表面上。