1.一种声表面滤波器，其特征在于，包括：具有压电效应的基底；

输入叉指电极和输出叉指电极，设置于所述基底的指定区域；

双共振复合结构，设置于所述输入叉指电极和所述输出叉指电极之间的所述基底的预留区域，其中，所述共振复合结构包括内层的散射体阵列和外层的基体层，所述散射体阵列的声阻抗大于所述基体层的声阻抗。

2.根据权利要求1所述的声表面滤波器，其特征在于，所述散射体阵列中的任两个散射体之间的间距小于声波波长。

3.一种声表面滤波器的加工方法，其特征在于，包括：在具有压电效应的基底上形成输入叉指电极和输出叉指电极；

在所述输入叉指电极和所述输出叉指电极之间的所述基底的预留区域形成双共振复合结构，以完成所述声表面滤波器的加工，其中，所述双共振复合结构的散射体阵列的声阻抗大于所述双共振复合结构的基体层的声阻抗；

其中，在具有压电效应的基底上形成输入叉指电极和输出叉指电极，具体包括以下步骤：在所述基底上形成金属导电层；

对所述金属导电层进行图形化的干法刻蚀和/或湿法刻蚀，以形成所述输入叉指电极和所述输出叉指电极。

4.根据权利要求3所述的声表面滤波器的加工方法，其特征在于，在所述基底上形成金属导电层，具体包括以下步骤：采用气相淀积工艺，或采用电镀工艺，或采用蒸镀工艺在所述基底上形成所述金属导电层。

5.根据权利要求3或4所述的声表面滤波器的加工方法，其特征在于，在所述输入叉指电极和所述输出叉指电极之间的所述基底的预留区域形成双共振复合结构，以完成所述声表面滤波器的加工，具体包括以下步骤：在所述基底上形成的所述基体层后，对所述基体层进行图形化处理，同时，在所述基体层中形成待填充区域；

在所述待填充区域中形成所述散射体阵列，以完成所述双共振复合结构的加工。

6.根据权利要求5所述的声表面滤波器的加工方法，其特征在于，在所述基底上形成的基体层后，对所述基体层进行图形化处理，同时，在所述基体层中形成待填充区域，具体包括以下步骤：对所述基底进行预烘处理；

在完成预烘处理的基底上旋涂环氧树脂材料后，对所述环氧树脂材料进行图形化的显影处理；

对完成显影处理的所述环氧树脂材料进行固化处理，以形成所述基体层和所述待填充区域。

7.根据权利要求6所述的声表面滤波器的加工方法，其特征在于，在所述待填充区域中形成散射体阵列，以完成所述双共振复合结构的加工，具体包括以下步骤：采用电镀工艺在所述待填充区域中形成电镀层；

对所述电镀层进行刻蚀处理，以形成所述待填充区域的散射体阵列。

8.根据权利要求6所述的声表面滤波器的加工方法，其特征在于，采用气相淀积工艺在所述待填充区域中形成金属淀积层；

对所述金属淀积层进行刻蚀处理，以形成所述待填充区域的散射体阵列。

9.一种声表面滤波器，其特征在于，采用如权利要求3至8中任一项所述的声表面滤波器的加工方法制备而成。

10.一种通信设备，其特征在于，包括：如权利要求1、2和9中任一项所述的声表面滤波器。