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专利号: 2015108405956
申请人: 岭南师范学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2025-10-14
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种耐候性高效太阳能选择性吸收涂层,其特征在于,该涂层体系具有四层结构:由内到外依次为TiCrMoN/CrMoON/CrON/SiON,其中,红外反射层TiCrMoN涂层成分如下:Ti: 

28 32 at.%,Cr: 18 24 at.%,Mo: 4 10 at.%,N: 43 47 at.%;吸收层CrMoON成分如下:~ ~ ~ ~

Cr: 35 43 at.%,Mo: 9 16 at.%,O: 6 12 at.%,N: 35 40 at.%;减反层CrON成分如下:~ ~ ~ ~

Cr: 42 52 at.%,O: 7 12 at.%,N: 39 48 at.%;减反层SiON成分如下:Si: 36 42 at.%,~ ~ ~ ~O: 12 20 at.%,N: 40 49 at.%。

~ ~

2.根据权利要求1所述的耐候性高效太阳能选择性吸收涂层,其特征在于,TiCrMoN红外反射层的厚度为30 100 nm,CrMoON吸收层的厚度为40 120 nm,CrON减反层的厚度为10~ ~ ~

30 nm,SiON减反层的厚度为15 30 nm。

~

3.权利要求1或2所述的耐候性高效太阳能选择性吸收涂层的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S1. 控制基体负偏电压至80-150 V,关闭Ar气,打开N2气,调节气压在0.7 1.5 Pa,开启~纯TiCr阴极电弧合金靶以及中频磁控溅射Mo金属靶,调节TiCr合金靶材电流为60 120 A,~中频磁控溅射Mo金属靶5 15 A,沉积TiCrMoN红外反射层;

~

S2. 保持通入N2气,同时打开O2气,调节气压至0.5~1.5 Pa,O2含量在5%~28%,温度调节至200 400℃条件下,开启Cr阴极电弧靶和Mo中频磁控溅射靶,保持Cr靶电流在45 65 A,Mo~ ~靶电流在6 10 A,沉积CrMoON吸收层;

~

S3. 关闭Mo中频磁控溅射靶,保持通入O2和N2气,并控制气压在0.7-1.3 Pa,O2比例在

5% 16%,调节Cr靶电流在40 80 A,沉积CrON减反层;

~ ~

S4. 关闭Cr阴极电弧靶,保持通入O2和N2气,并控制气压在0.6 1.5 Pa,O2比例在5%~ ~

20%,开启Si中频磁控溅射靶,调节靶电流在5 12A,沉积SiON减反层,即得所述选择性吸收~涂层。

4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,在步骤S1之前通Ar气,对基体进行辉光清洗,具体为:将基体在转速3 8 rpm的条件升温至300 500℃,抽本底真空达到1.0 5.0~ ~ ~×10-3 Pa;通Ar气,调节真空度至0.1 0.8 Pa,加负偏电压-700 -1500 V,进行辉光溅射清~ ~洗10 40 min。

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5.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,步骤S1沉积TiCrMoN红外反射层的时间为2 10 min,步骤S2沉积CrMoON吸收层的时间为2 12 min,步骤S3沉积CrON减反层的时~ ~间为2 10min,步骤S4沉积SiON减反层的时间为3 20min。

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