1.一种用于CT成像系统的整体封装碳纳米射线源，至少包括机壳(110)、若干个阳极(150)和若干个阴极(120)，其特征在于，所述阳极(150)的数量在50个至90个之间，所述阴极(120)的数量在50个至90个之间，所述阳极(150)和阴极(120)均呈环形阵列对应设置在所述机壳(110)内部，所述若干个阳极(150)所在圆周的半径大于所述若干个阴极(120)所在圆周的半径，所述阳极(150)为固定阳极，所述阴极(120)为碳纳米管阴极；

所述机壳(110)包括激发端(112)和放射端(113)，所述激发端(112)和放射端(113)分别位于所述机壳(110)两侧，所述阳极(150)固定在所述激发端(112)，所述阴极(120)固定在所述放射端(113)；

所述机壳(110)上设有出射窗(111)和检修窗(114)，所述出射窗(111)位于所述激发端(112)和放射端(113)之间的机壳(110)上，所述检修窗(114)位于机壳(110)外部呈环形等角度排列。

2.根据权利要求1所述的用于CT成像系统的整体封装碳纳米射线源，其特征在于，所述阳极(150)至少包括激发面(151)，所述阴极(120)至少包括放射面(121)，所述激发面(151)为斜面，所述放射面(121)为凸形曲面，所述阴极(120)用于在外加电场下产生电子，所述放射面(121)的凸形曲面用于聚焦电子形成电子束，并发射电子束轰击所述阳极(150)的激发面(151)以产生X射线。

3.根据权利要求2所述的用于CT成像系统的整体封装碳纳米射线源，其特征在于，所述机壳(110)内部设有栅极(130)和聚焦极(140)，所述栅极(130)和聚焦极(140)位于所述阳极(150)与所述阴极(120)之间。

4.根据权利要求3所述的用于CT成像系统的整体封装碳纳米射线源，其特征在于，所述栅极(130)位于所述阴极(120)一侧，呈圆环状，栅极(130)的表面设有栅极孔(131)，用于在外加电场作用下使电子加速，产生电子束一次聚焦。

5.根据权利要求3所述的用于CT成像系统的整体封装碳纳米射线源，其特征在于，所述聚焦极(140)位于所述阳极(150)一侧，呈圆环状，聚焦极(140)的表面设有聚焦孔(141)，用于形成电子束二次聚焦，增加轰击所述阳极(150)的电子数量。

6.根据权利要求4或5所述的用于CT成像系统的整体封装碳纳米射线源，其特征在于，所述激发面(151)的倾斜角度为7度至25度之间。

7.根据权利要求6所述的用于CT成像系统的整体封装碳纳米射线源，其特征在于，所述激发面(151)的倾斜角度为10度。

8.根据权利要求7所述的用于CT成像系统的整体封装碳纳米射线源，其特征在于，所述阴极(120)的数量为60个，所述阳极(150)的数量为60个，每一个所述阳极(150)的激发面(151)的材料为钨或者钎焊石墨。