1.一种碳纳米CT成像系统，包括机架(10)、控制系统(40)、计算机系统(90)、探测器(80)、准直器(60)、过滤器(70)和若干个碳纳米射线源(50)，其特征在于，所述碳纳米射线源(50)的数量为80个至120个之间，呈环形阵列均匀设置于所述机架(10)上，用于发射X射线；所述控制系统(40)与所述碳纳米射线源(50)连接，用于控制碳纳米射线源(50)在指定时间对指定位置发射X射线；所述过滤器(70)与每一个所述碳纳米射线源(50)对应放置，用于过滤X射线；所述准直器(60)放置于所述过滤器(70)与碳纳米射线源(50)之间，分别与过滤器(70)和碳纳米射线源(50)对应，用于控制X射线的照射范围；所述探测器(80)与所述碳纳米射线源(50)平行对应放置，探测器(80)与碳纳米射线源(50)之间放置有待测对象(20)，探测器(80)与所述计算机系统(90)连接。

2.根据权利要求1所述的碳纳米CT成像系统，其特征在于，所述碳纳米射线源(50)包括壳体(110)、碳纳米管阴极(120)、阳极(150)、栅极(130)和聚焦极(140)；所述碳纳米管阴极(120)和阳极(150)分别位于所述壳体(110)的两侧，所述栅极(130)和聚焦极(140)位于碳纳米管阴极(120)和阳极(150)之间。

3.根据权利要求2所述的碳纳米CT成像系统，其特征在于，所述碳纳米管阴极(120)包括放射面(121)，所述放射面(121)为凹形曲面。

4.根据权利要求2所述的碳纳米CT成像系统，其特征在于，所述阳极(150)包括激发端(151)和底座(152)，所述激发端(151)和底座(152)分别位于阳极(150)的两侧。

5.根据权利要求2所述的碳纳米CT成像系统，其特征在于，所述栅极(130)位于碳纳米管阴极(120)一侧，栅极(130)的表面设有栅极孔(131)；所述聚焦极(140)位于阳极(150)一侧，聚焦极(140)的表面设有聚焦孔(141)。

6.根据权利要求4所述的碳纳米CT成像系统，其特征在于，所述激发端(151)呈圆锥形状，激发端(151)截面的圆锥角为7度，激发端(151)的材料为钨或者钎焊石墨。

7.根据权利要求4所述的碳纳米CT成像系统，其特征在于，所述底座(152)设有定位孔(52)，所述壳体(110)设有主轴(112)和出射窗(111)，所述主轴(112)插设于所述定位孔(52)中。

8.根据权利要求7所述的碳纳米CT成像系统，其特征在于，所述底座(152)和主轴(112)的材料均为铁。

9.根据权利要求1所述的碳纳米CT成像系统，其特征在于，所述碳纳米射线源(50)的数量为90个。

10.根据权利要求1至9所述系统的成像方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)所述控制系统(40)，包括主控单元、定时器和若干个电压开关，所述主控单元分别与所述定时器、电压开关连接，每一个所述电压开关与每一个所述碳纳米射线源(50)连接，所述定时器用于设定和发送计时指令，所述主控单元用于接收计时指令，并向指定的一个或多个所述电压开关发射高电平脉冲，开启指定的一个或多个所述电压开关；

(2)在指定的一个或多个所述电压开关产生电场的作用下，与指定的一个或多个电压开关连接的一个或多个所述碳纳米射线源(50)被激活，所述阳极(150)端的高电压吸引所述碳纳米管阴极(120)的电子逸出，并加速向阳极(150)端运动；

(3)电子通过所述栅极(130)时形成电子束一次聚焦，再通过所述聚焦极(140)时形成电子束二次聚焦；

(4)所述阳极(150)在高速电子的作用下旋转，电子束轰击所述激发端(151)的圆锥面产生X射线；

(5)X射线从所述碳纳米射线源(50)的出射窗(111)射出，经过所述准直器(60)和过滤器(70)处理后，射入到待测对象(20)的待检测位置，并获取信息；

(6)携带信息的X射线被所述探测器(80)接收，探测器(80)将携带信息的X射线转换为数字信号传输至计算机系统(90)成像。