1.一种碳纳米管发射阴极制备方法，其特征在于，包括：

将石墨烯、作为催化剂的金属可溶性无机盐按照预定比例加入有机溶剂中，制得带正电荷的石墨烯电泳溶液；

使用导电基板作为阴极，分别将阳极和所述阴极置于所述石墨烯电泳溶液中，外加电场，制得沉积在所述导电基板上的石墨烯层状结构；

将沉积在所述导电基板上的所述石墨烯层状结构放入气相沉积炉内生长碳纳米管。

2.如权利要求1所述的碳纳米管发射阴极制备方法，其特征在于，所述金属可溶性无机盐包括铁、镍和钴的可溶性无机盐中的一种或多种的混合物。

3.如权利要求2所述的碳纳米管发射阴极制备方法，其特征在于，所述金属可溶性无机盐包括铁、镍和钴的硝酸盐以及铁、镍和钴的氯盐。

4.如权利要求1所述的碳纳米管发射阴极制备方法，其特征在于，所述金属可溶性无机盐和所述石墨烯的重量比为2～10。

5.如权利要求1所述的碳纳米管发射阴极制备方法，其特征在于，所述石墨烯包括单层石墨烯和/或多层石墨烯。

6.如权利要求1所述的碳纳米管发射阴极制备方法，其特征在于，所述石墨烯电泳溶液的浓度为0.02～0.1mg/ml。

7.如权利要求1所述的碳纳米管发射阴极制备方法，其特征在于，所述将沉积在所述导电基板上的所述石墨烯层状结构放入气相沉积炉内生长碳纳米管，具体包括：将所述沉积炉抽真空，通入一定压强的惰性气体后升温，达到生长温度后，通往氢气，保温一段时间，然后通入碳氢气体，生长碳纳米管。

8.如权利要求7所述的碳纳米管发射阴极制备方法，其特征在于，所述惰性气体的压强为是5～30KPa，所述生长温度为600～800℃。

9.如权利要求7所述的碳纳米管发射阴极制备方法，其特征在于，所述碳氢气体包括甲烷、乙烯和/或乙炔，所述氢气和所述碳氢气体流量比为2.5～10。

10.一种使用权利要求1至9中任一项所述的碳纳米管发射阴极制备方法制备的碳纳米管发射阴极。