1.一种双模式低噪声放大器，其特征在于，该放大器包含低噪声放大器LNA核心电路和双模式开关可控的复制型偏置电路，且开关可控的复制型偏置电路为核心电路提供所需的所有偏置；通过控制开关可控的复制型偏置电路的开关S来使LNA核心电路工作于不同的两种状态，即高增益模式和高线性度模式；其中，当开关S的不动端c连接开关S的动端a时，LNA工作于高线性度模式；当开关S的不动端c连接开关S的触点动端b时，LNA工作于高增益模式。

2.如权利要求1所述的一种双模式低噪声放大器，其特征在于所述LNA核心电路中，第一NMOS管（NM1）漏极与第三NMOS管（NM3）源极相连；第二NMOS管（NM2）漏极与第四NMOS管（NM4）源极相连；第三NMOS管（NM3）漏极与第一PMOS管（PM1）漏极相连；第四NMOS管（NM4）漏极与第二PMOS管（PM2）漏极相连；第三NMOS管（NM3）的栅极及NM4的栅极分别与第一电阻（R1）、第二电阻（R2）的一端相连；第一电阻（R1）、第二电阻（R2）的另一端接电源电压（VDD）；第一PMOS管（PM1）的源极、第二PMOS管（PM2）的源极分别与电源电压（VDD）相连；第一PMOS管（PM1）、第二PMOS管（PM2）的栅极分别接第三偏置电压（Vbias3）；第一NMOS管（NM1）源极与栅极间连接第一电容（C1），第一NMOS管（NM1）源极与第一电感（L1）一端相连；第二NMOS管（NM2）源极与栅极间连接第二电容（C2）；第二NMOS管（NM2）源极与第二电感（L2）一端相连；第一电感（L1）另一端、第二电感（L2）另一端分别与作为全差分电路尾电流源的第五NMOS管（NM5）的漏极相连；第五NMOS管（NM5）源极接地，第五NMOS管（NM5）栅极接第五电阻（R5）的一端，第五电阻（R5）另一端接第二偏置电压（Vbias2）；第一NMOS管（NM1）栅极与第三电感（L3）一端相连，第三电感（L3）另一端接输入信号并与第三电阻（R3）一端相连，第三电阻（R3）另一端接第一偏置电压（Vbias1）；第二NMOS管（NM2）栅极与第四电感（L4）一端相连，第四电感（L4）另一端接输入信号并与第四电阻（R4）一端相连，第四电阻（R4）另一端接第一偏置电压（Vbias1）；第三电容（C3）一端分别与第二NMOS管（NM2）漏极及第四NMOS管（NM4）源极相连，第三电容（C3）另一端与第三NMOS管（NM3）的栅极相连；

第四电容（C4）的一端分别与第一NMOS管（NM1）的漏极及第三NMOS管（NM3）的源极相连，第四电容（C4）另一端与第四NMOS管（NM4）的栅极相连；共模反馈电路（CMFB）正极与全差分电路的差分输出信号的正输出端连接，负极与差分输出信号的负输出端连接，共模反馈电路（CMFB）的输出与第五NMOS管（NM5）的栅极相连。

3.如权利要求1所述的一种双模式低噪声放大器，其特征在于所述双模式开关可控的复制型偏置电路中，第七NMOS管（NM7）漏极与第九NMOS管（NM9）源极相连；第八NMOS管（NM8）漏极与第十NMOS管（NM10）源极相连；第九NMOS管（NM9）漏极与第三PMOS管（PM3）的漏极相连；第十NMOS管（NM10）漏极与第四PMOS管（PM4）的漏极相连；第九NMOS管（NM9）栅极、第十NMOS管（NM10）栅极分别与第六电阻（R6）、第七电阻（R7）的一端相连；第六电阻（R6）、第七电阻（R7）的另一端以及第三PMOS管（PM3）、第四PMOS管（PM4）的源极分别与电源（VDD）相连；第三PMOS管（PM3）栅极源第四PMOS管（PM4）栅极相连同时连接第三偏置电压（Vbias3）；第三PMOS管（PM3）的栅极与漏极相连；第七NMOS管（NM7）栅极与第八NMOS管（NM8）栅极相连同时接第一偏置（Vbias1）；第七NMOS管（NM7）源极与第十一NMOS管（NM11）漏极相连；第八NMOS管（NM8）源极与第十二NMOS管（NM12）漏极相连；第十一NMOS管（NM11）栅极、第十二NMOS管（NM12）栅极与第六NMOS管（NM6）栅极相连同时接第二偏置电压（Vbias2）；第十一NMOS管（NM11）源极、第十二NMOS管（NM12）源极、第六NMOS管（NM6）源极都接地；第六NMOS管（NM6）栅极与漏极相连同时漏极与基准电流源（Iref）相连；基准电流源（Iref）的另一端接电源；单刀双掷开关（S）的动端a端与第八NMOS管（NM8）漏极相连、动端b端与第十二NMOS管（NM12）栅极相连、不动端c端与第八NMOS管（NM8）栅极相连。