1.砷化镓量子环红外光电探测器，包括衬底层（1）、生长在衬底层（1）上的砷化镓缓冲层（2），其特征在于，还包括在砷化镓缓冲层（2）上依次生长的砷化镓接触层（3）、砷化镓铝底部间隔层（4）、量子环结构层（5）；所述量子环结构层（5）至少有2层，层叠在一起；还包括砷化镓覆盖层（6）、第一电极（7）和第二电极（8），其中，所述砷化镓覆盖层（6）形成在所述量子环结构层（5）上，所述第一电极（7）形成在砷化镓覆盖层（6）上，所述第二电极（7）形成在所述砷化镓接触层（3）上。

2.根据权利要求1所述的砷化镓量子环红外光电探测器，其特征在于，所述量子环结构层（5）包括量子环层（51）、第一砷化镓铝间隔层（52）和第二砷化镓铝间隔层（53），所述第一砷化镓铝间隔层（52）形成在所述量子环层（51）上，所述第二砷化镓铝间隔层（53）形成在第一砷化镓铝间隔层（52）上。

3.根据权利要求1或2所述的砷化镓量子环红外光电探测器，其特征在于，所述衬底层（1）为半绝缘型砷化镓单晶片或者n型砷化镓单晶片；所述砷化镓缓冲层（2）为本征砷化镓层或者n型砷化镓层；所述砷化镓接触层（3）为n型砷化镓层；所述砷化镓铝底部间隔层（4）为本征砷化镓铝层。

4.根据权利要求2所述的砷化镓量子环红外光电探测器，其特征在于，所述量子环层（51）包括被晶化的硅掺杂的纳米金属镓液滴。

5.砷化镓量子环红外光电探测器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤11、提供衬底层（1）；

步骤12、在衬底层上（1）上形成砷化镓缓冲层（2）；

步骤13、在砷化镓缓冲层（2）上形成砷化镓接触层（3）；

步骤14、在砷化镓接触层（3）上形成砷化镓铝底部间隔层（4）；

步骤15、在砷化镓铝底部间隔层（4）上形成至少两层层叠在一起的量子环结构层（5）；

步骤16、在量子环结构层（5）上形成砷化镓覆盖层（6）；

步骤17、在砷化镓覆盖层（6）上形成第一电极（7）；

步骤18、刻蚀前面形成的各层直至露出砷化镓接触层（3），在露出的砷化镓接触层（3）上形成第二电极（8）；

步骤15中在砷化镓铝底部间隔层（4）上形成至少两层层叠在一起的量子环结构层（5），具体包括：步骤151、形成量子环层（51）；

步骤152、200℃-450℃温度条件下，在量子环层（51）上形成第一砷化镓铝间隔层（52）；

步骤153、580℃-630℃温度条件下，在第一砷化镓铝间隔层（52）上形成第二砷化镓铝间隔层（53）；

步骤154、根据量子环结构层（5）的层数重复步骤151至步骤153。

6.根据权利要求5所述的砷化镓量子环红外光电探测器的制造方法，其特征在于，步骤151中形成量子环层（51），具体是：形成硅掺杂的纳米金属镓液滴并晶化该纳米金属镓液滴。