1.一种IGBT结构，其特征在于，包括：主芯片和保护层，其中所述保护层进一步包括：形成在所述主芯片上的氮化硅膜；和

形成在所述氮化硅膜上的聚酰亚胺膜；

其中，所述氮化硅膜以光刻胶为掩膜通过第一次刻蚀而成，并且所述聚酰亚胺膜通过第二次刻蚀而成，其中，所述聚酰亚胺膜的形成步骤包括：提供光敏聚酰亚胺涂胶层，对所述光敏聚酰亚胺涂胶层依次进行曝光、显影和固化后以形成所述聚酰亚胺膜。

2.如权利要求1所述的IGBT结构，其特征在于，所述氮化硅膜的厚度为0.1-0.7微米。

3.如权利要求1所述的IGBT结构，其特征在于，所述聚酰亚胺膜的厚度为3-20微米。

4.一种IGBT结构的制备方法，其特征在于，包括：A.形成主芯片；和

B.在所述主芯片之上形成保护层，其中，进一步包括：B1.在所述主芯片上形成氮化硅膜；和

B2.在所述氮化硅膜上形成聚酰亚胺膜；

其中，所述步骤B1包括：在所述主芯片之上形成氮化硅材料层；在所述氮化硅材料层之上形成光刻胶；以所述光刻胶为掩膜进行第一次刻蚀以形成所述氮化硅膜；去除残余的所述光刻胶，其中，所述步骤B2包括：在所述氮化硅膜之上形成聚酰亚胺涂胶层；进行第二次刻蚀以形成所述聚酰亚胺膜，其中，所述聚酰亚胺涂胶层为光敏聚酰亚胺涂胶层，所述第二次刻蚀的步骤包括：对所述光敏聚酰亚胺涂胶层依次进行曝光、显影和固化后以形成所述聚酰亚胺膜。

5.如权利要求4所述的IGBT结构的制备方法，其特征在于，所述氮化硅膜的厚度为0.1-

0.7微米。

6.如权利要求4所述的IGBT结构的制备方法，其特征在于，所述聚酰亚胺膜的厚度为3-

20微米。