1.一种用于制备半导体发光装置的方法，该方法包括：

(a)制备第一晶片，在该第一晶片中，半导体多层发光结构层叠/生长在初始衬底的上方部分上，并将第二欧姆接触电极设置在所述半导体多层发光结构上；

(b)制备第二晶片，该第二晶片是通过在选定支撑衬底上相继地层叠牺牲层、散热层和粘结层而形成的支撑衬底；

(c)在所述第一晶片的上方部分上粘结所述第二晶片；

(d)在执行步骤(c)之后，将所述第一晶片的初始衬底从所述粘结产物上分离；

(e)在与所述初始衬底分离的所述第一晶片的上方部分上形成第一欧姆接触电极之后，执行钝化，(f)分离所述的选定支撑衬底，以及

(g)通过切割所述分离的产物获得单个的芯片，

其中所述牺牲层是由可溶解在湿式蚀刻溶液中的材料构成的，在所述步骤(f)中，所述牺牲层通过将所述牺牲层溶解在湿式蚀刻溶液中进行湿式蚀刻，以及其中所述的选定支撑衬底与所述初始衬底的热膨胀系数的差异为2ppm或者更小。

2.根据权利要求1的用于制备半导体发光装置的方法，其中在步骤(a)中的半导体多层发光结构包括n型半导体包覆层、发光活动层和p型半导体包覆层。

3.根据权利要求1或者2的用于制备半导体发光装置的方法，其中在步骤(a)中的所述半导体多层发光结构的每一层是由Inx(GayAl1-y)N的单晶体构成，其中

1≥x≥0,1≥y≥0,x+y>0。

4.根据权利要求1的用于制备半导体发光装置的方法，其中步骤(c)所述的晶片的粘结是通过热压粘结法在100℃至600℃的温度和1Mpa至200Mpa的压力下进行。

5.根据权利要求1或者2的用于制备半导体发光装置的方法，其中在步骤(d)中从所述粘结产物上分离所述第一晶片的初始衬底是通过从由将激光束照射到所述初始衬底的表面的激光剥离方法、化学机械研磨方法和使用湿式蚀刻溶液的湿式蚀刻方法所组成的组中所选择的方法进行的。

6.根据权利要求1的用于制备半导体发光装置的方法，其中还包括：

(f1)将由有机或者无机粘结材料形成的临时支撑衬底附着在所述用于制备半导体发光装置的支撑衬底的相反方向上；

(f3)如果所述散热层的厚度大于一个预定的值，则在垂直方向上切割上述步骤的产物，而无需所述支撑衬底的任何粘结工艺，如果所述散热层的厚度小于一个预定的值，则形成由导电的金属、固溶体或者合金构成的附加的粘结层，并利用该附加的粘结层将第三支撑衬底粘附到所述散热层，然后在垂直方向上切割所述形成的和粘附的产物。

7.根据权利要求6的用于制备半导体发光装置的方法，其中所述用于制备半导体发光装置的支撑衬底的散热层的厚度是80μm至500μm。

8.根据权利要求6的用于制备半导体发光装置的方法，其中所述的第三支撑衬底是由：包括从由Si、Ge、SiGe、ZnO、GaN、AlGaN和GaAs所组成的组中所选择的至少一种的具有导热和导电性的单晶体或者多晶体晶片形成；或者包括从由Mo、Cu、Ni、Nb、Ta、Ti、Au、Ag、Cr、NiCr、CuW、CuMo和NiW所组成的组中所选择的至少一种的金属、合金或者固溶体箔片形成。

9.根据权利要求1的用于制备半导体发光装置的方法，其中在步骤(e)中用于形成所述第一欧姆接触电极的材料是由包括从由Al、Ti、Cr、Ta、Ag、Al、Rh、Pt、Au、Cu、Ni、Pd、In、Sn、Si、Ge、Zn、Mg、NiCr、PdCr、CrPt、NiTi、TiN、CrN、SiC、SiCN、InN、AlGaN、InGaN、稀土金属和合金、金属硅化物、半导体的硅化物、碳纳米管网络CNTN、透明导电氧化物TCO和透明导电氮化物TCN组成的组中所选择的至少一种的材料组成。

10.根据权利要求1的用于制备半导体发光装置的方法，其中在步骤(a)中的所述第一晶片是通过在层叠和生长在所述衬底的上方部分上的半导体多层发光结构的上方部分上形成反光层、电绝缘层、扩散阻挡层、散热层或者粘结层来制备的。

11.根据权利要求10的用于制备半导体发光装置的方法，其中在所述半导体多层发光结构的上方部分上的电绝缘层、扩散阻挡层、散热层或者粘结层是通过物理气相沉积、化学气相沉积、电镀或者无电镀的方式形成的。

12.根据权利要求1的用于制备半导体发光装置的方法，其中在步骤(e)中的第一欧姆接触电极是形成在缓冲层或者n型半导体包覆层的上表面上。