1.一种制备绒面多晶硅片的方法，该方法包括，使多晶硅片在碱腐蚀溶液中进行碱腐2

蚀，所述碱腐蚀的条件使多晶硅片的腐蚀量为0.01-0.1mg/cm ；将清洗后的多晶硅片在酸2

腐蚀条件下进行酸腐蚀，所述酸腐蚀的条件使多晶硅片的腐蚀量为0.5-5mg/cm，得到酸腐蚀后的多晶硅片，所述碱腐蚀的条件包括，所述碱腐蚀溶液的浓度为0.1-10重量％，碱腐-蚀的温度为20-80℃，碱腐蚀的时间为5-1200秒；所述碱腐蚀溶液为含有可电离出OH 离子的化合物的水溶液；所述酸腐蚀的条件包括，所述酸腐蚀溶液为含有氢氟酸和腐蚀试剂的水溶液，所述酸腐蚀溶液中，氢氟酸的浓度为0.1-30重量％，腐蚀试剂的浓度为0.1-70重量％，所述腐蚀试剂为选自硝酸、磷酸、铬酸、硫酸以及它们的盐中的至少一种；腐蚀温度为-10℃至60℃，腐蚀时间为120-1800秒。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述碱腐蚀溶液的浓度为0.5-5重量％，碱腐蚀的温度为30-60℃，碱腐蚀的时间为20-300秒。

-

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述可电离出OH 离子的化合物为氢氧化钠、氢氧化钾和氢氧化铵中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述酸腐蚀溶液中，氢氟酸的浓度为1-15重量％，腐蚀试剂的浓度为10-60重量％，所述腐蚀试剂为选自硝酸、磷酸、铬酸、硫酸以及它们的盐中的至少一种；腐蚀温度为-5℃至30℃，腐蚀时间为240-720秒。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括，将所得到的酸腐蚀后的多晶硅片在二次碱腐蚀溶液中进行二次碱腐蚀，所述二次碱腐蚀的条件使多晶硅片的腐蚀量2

为0.01-1mg/cm，得到二次碱腐蚀后的多晶硅片，所述二次碱腐蚀的条件包括，所述二次碱腐蚀溶液的浓度为0.1-10重量％，二次碱腐蚀的温度为10-80℃，二次碱腐蚀的时间为-

5-1200秒；所述二次碱腐蚀溶液为含有可电离出OH 离子的化合物的水溶液。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述二次碱腐蚀溶液的浓度为0.5-5重量％，二次碱腐蚀的温度为15-60℃，二次碱腐蚀的时间为20-300秒。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述方法还包括将二次碱腐蚀后的多晶硅片在二次酸腐蚀溶液中进行二次酸腐蚀，所述二次酸腐蚀的条件使多晶硅片的腐蚀量为2

0.04-0.4mg/cm，所述二次酸腐蚀的条件包括，所述二次酸腐蚀溶液的浓度为0.1-10重量％，二次酸腐蚀温度为10-60℃，二次酸腐蚀时间为20-800秒；所述二次酸腐蚀溶液为含有氢氟酸和盐酸的水溶液，氢氟酸中的HF与盐酸中的HCl的重量比为1∶1-5。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述二次酸腐蚀的条件包括，所述二次酸腐蚀溶液的浓度为0.5-5重量％，氢氟酸中的HF与盐酸中的HCl的重量比为1∶1.5-3.5；二次酸腐蚀温度为15-60℃，二次酸腐蚀时间为20-300秒。