1.一种镀膜材料的制备方法，其特征在于，所述镀膜材料包括透明基板和镀覆在所述透明基板上的膜层，所述膜层由氧化物膜层和金属膜层组成，所述氧化物膜层位于所述透明基板和金属膜层之间，所述氧化物膜层和金属膜层均为单层；所述镀膜材料的制备方法包括依次在形成氧化物膜层的磁控溅射条件下和形成金属膜层的磁控溅射条件下，在磁控靶上施加电源使磁控靶上的靶材物质溅射并沉积在所述透明基板上，以形成依次镀覆在所述透明基板上的氧化物膜层和金属膜层，在所述透明基板上形成膜层之前，对透明基板进行清洗活化，所述清洗活化的方法包括，在清洗活化的条件下，用惰性气体的离子轰击所述透明基板。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述形成氧化物膜层的磁控溅射条件使所述氧化物膜层的厚度为30-320纳米，所述形成金属膜层的磁控溅射条件使所述金属膜层的厚度为50-150纳米。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述形成氧化物膜层的磁控溅射条件包括，电源的功率为1-50千瓦，磁控溅射的真空度为0.1-2帕，溅射时间为10-100分钟，工作气体为惰性气体与氧气的混合物，所述惰性气体与氧气的体积比为1∶1.5-4，工作气体的总流量为120-750标准毫升/分钟，偏压电源的偏压为50-500伏，占空比为15-90%，所述靶材为钛、铝、硅、铬、锆或钽。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述形成金属膜层的磁控溅射条件包括，电源的功率为1-50千瓦，磁控溅射的真空度为0.1-2帕，溅射时间为2-15分钟，工作气体为惰性气体，工作气体的流量为20-150标准毫升/分钟，偏压电源的偏压为50-500伏，占空比为15-90%，所述靶材为钛、铝、铬、锆、钽或不锈钢。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述清洗活化的条件包括，清洗活化的气氛为惰性气体气氛，真空度为0.1-5帕，偏压为200-1000伏，占空比为20-70%，时间为5-20分钟。

6.根据权利要求1或5所述的方法，其中，所述透明基板的厚度为0.5-1.5毫米，所述透明基板为玻璃板、石英板、Al2O3板或塑料板。