1、一种磁控溅射离子镀方法，该方法包括在溅射条件下，在磁控靶上施加电源使磁控靶的靶材物质溅射，溅射的靶材物质沉积在基材上，其特征在于，所述电源的功率为2-100千瓦范围内的恒定值。

2、 根据权利要求1所述的方法，其中，所述电源的功率为5-40千瓦范 围内的恒定值。

3、 根据权利要求1所述的方法，其中，所述溅射条件包括压力为0.1-1.0 帕，温度为20-30(TC，时间为2-180分钟。

4、 根据权利要求1所述的方法，其中，所述靶材物质选自不锈钢、钛、 铝、硅、铬和铜中的一种或几种，所述基材选自不锈钢、镁合金、钛合金和 铝合金中的一种或几种。

5、 根据权利要求1所述的方法，其中，该方法包括多个在磁控耙上施 加电源使磁控靶的靶材物质溅射的溅射阶段，在各个溅射阶段，电源的功率 保持恒定。

6、 根据权利要求5所述的方法，其中，相邻的两个溅射阶段中，后一 溅射阶段的电源功率小于前一溅射阶段的电源功率，二者之间的差值与前一 溅射阶段的电源功率的比值为1: 2至h 15。

7、 根据权利要求1所述的方法，其中，在所述溅射的靶材物质沉积在 基材上的过程中，该方法还包括在基材上施加偏压电源，该偏压电源的偏压 为50-2000伏，占空比为15-卯％ 。

8、 根据权利要求7所述的方法，其中，该方法包括多个在磁控靶上施加电源使磁控靶的靶材物质溅射的溅射阶段，相邻的两个溅射阶段中，后一 溅射阶段的偏压电源的偏压小于前一溅射阶段，二者之间的差值与前一溅射阶段的偏压电源的偏压的比值为1: 1.2至1: 10;后一溅射阶段的偏压电源 的占空比大于前一溅射阶段，二者之间的差值与后一溅射阶段的偏压电源的 占空比的比值为h 1.2至l: 10。

9、 根据权利要求1所述的方法，其中，所述溅射在惰性气体和/或反应 气体气氛下进行，所述惰性气体为氦气和/或氩气，所述反应气体为氧气、氮 气和气态烃中的一种或几种。

10、 根据权利要求1所述的方法，其中，在进行溅射之前，该方法还包括对基材进行活化的步骤，所述活化的方法包括在1.0-3.0帕的压力下，在 基材上施加偏压电源，该偏压电源的偏压为50-2000伏，占空比为15-90%， 活化的时间为5-100分钟。

11、 根据权利要求IO所述的方法，其中，在所述活化过程中线性增加 偏压电源的偏压和占空比，偏压调节步长为5-50伏/分钟，占空比调节步长 为0.1-6%/分钟。