本实用新型属于浇注技术领域，具体为一种聚氨酯弹性体成型混合浇注装置，包括底座，所述底座的顶部设置有储料罐和浇注机本体，所述底座的左右侧均固定连接有移动仓，所述底座的顶部左侧固定安装有安装框，所述安装框上转动安装有螺杆二，所述螺杆二上螺纹套接有升降块，所述升降块的左侧固定连接有固定板，所述固定板上转动安装有转动板，所述转动板的左侧固定安装有安装横梁，所述安装横梁的左侧下方安装有浇注头，通过在安装框上安装调节升降块升降的升降调节组件，在固定板上安装调节转动板转动的转动调节组件，使得该装置在使用时可快速调节浇注头的高度和角度，提高了该装置的实用性。

本实用新型涉及混合脱泡设备技术领域，公开了高分子材料混合脱泡装置，包括：搅拌桶，所述搅拌桶的顶端固定安装有第一垫片。本实用新型通过设置第一搅拌叶、驱动齿轮、从动齿轮和第二搅拌叶，当驱动电机运行时，此时长轴将带动五个第一搅拌叶进行旋转，这时五个第一搅拌叶将在旋转中对搅拌桶内部的物料进行搅拌，与此同时长轴将带动驱动齿轮进行旋转，此时四个从动齿轮将在驱动齿轮的带动下进行反方向旋转，这时四个从动齿轮将通过四个旋转轴带动若干个第二搅拌叶反方向旋转，这时搅拌桶内部的物料将在五个第一搅拌叶的旋转与若干个第二搅拌叶的反方向旋转中被快速充分的进行搅拌，从而使得高分子材料能够被充分搅拌混合和快速消泡。

本实用新型涉及修边设备技术领域，且公开了高分子轮修边装置，包括有：底座，所述底座的顶端活动连接有高分子轮本体。本实用新型通过设置螺纹杆、运动块、第二摩擦块和双轴电机，当双轴电机运行时，此时两个旋转轴将带动两个螺纹杆旋转，由于两个螺纹杆分别与两个运动块螺纹套接，并且由于两个短槽对两个运动块的限位，此时两个螺纹杆将在旋转中带动两个运动块进行相向运动，这时两个运动块将通过两个第一摩擦块带动两个第二摩擦块进行相向运动，当两个第二摩擦块在相向运动中与高分子轮本体接触时，这时打磨块、两个第一摩擦块和两个第二摩擦块将能够在旋转中对高分子轮本体的外表面进行打磨，从而能够对多种尺寸高分子轮进行修边。

本实用新型公开了高分子吸水胶条成型模具，属于吸水胶条生产领域。高分子吸水胶条成型模具，包括模体，所述模体的表面开设有型腔，所述模体的左侧连通有进料管，所述模体的表面套设有导热环，所述模体的外表面固定连接有若干个支架，所述支架远离模体的一侧与导热环的内表面固定连接，所述支架和导热环之间形成空腔，所述模体的左侧设置有散热结构，所述散热结构能够将外部气流引导至空腔内部，所述散热结构包括设置在进料管与模体之间的套管；本实用新型通过设置导热环采用导热金属材料制成，能够迅速将模体上的热量传导至空腔内的冷空气，同时导热环可以对模体进行防护，减少外部碰撞挤压对模体造成的伤害。

本发明公开了一种用于级联增强型GaN HEMT器件的低寄生参数封装结构及其封装方法，所述封装结构包括封装外壳，其中包括高压耗尽型晶体管、低压增强型晶体管、电压调整电路、第一导电基板、第二导电基板、第三导电基板、第四导电基板，低压增强型晶体管的源极、高压耗尽型晶体管的栅极和电压调整电路的下端被连接在一起并且被电连接到整个封装结构的源极引线，低压增强型晶体管的栅极电连接到整个封装结构的栅极引线，高压耗尽型晶体管的漏极电连接到整个封装结构的漏极引线，高压耗尽型晶体管的源极电连接到低压增强型晶体管的漏极和电压调整电路的上端。本发明所提供的级联增强型GaN HEMT器件通过将绑定线长度最小化实现寄身电感的优化。

本实用新型提供了一种便于更换纺织针头的纺织装置，属于纺织针头更换领域，该一种便于更换纺织针头的纺织装置包括纺织组件、防护组件以及固定组件，纺织组件包括稳定板，稳定板的上端连接有纺织架，纺织架的左端固定连接有连接块，连接块的表面固定安装有两个限位扣，稳定板的表面开设有若干个第一螺孔，本实用新型通过设置的纺织组件配合防护组件以及固定组件不仅能够对纺织针进行安装固定，同时还便于对其进行快速拆卸，因此能够提高拆卸更换便捷性，此外，通过上述结构相互配合还能够对纺织装置整体结构进行固定，因此能够显著增强纺织装置的固定效果。

本发明涉及一种级联增强型GaN HEMT功率模块封装结构，包括封装外壳、金属引线框架和引脚，其封装外壳内还包括：第一级联增强型GaN HEMT器件、第二级联增强型GaN HEMT器件、第三级联增强型GaN HEMT器件、第四级联增强型GaN HEMT器件、全桥栅驱动电路；每一个级联增强型GaN HEMT器件包括：高压耗尽型晶体管、低压增强型晶体管、电压调整电路、基岛、第一导电基板、第二导电基板、第三导电基板。本发明所提供的模块通过将绑定线长度最小化实现寄身电感的优化；另外，还增加了电压调整电路，保证其模块内部的高压耗尽型GaN器件工作在安全区域状态。

本实用新型提供了一种燃料电池膜电极多孔催化层的超声喷涂装置，属于电池膜电极催化层喷涂领域，该一种燃料电池膜电极多孔催化层的超声喷涂装置包括限位组件和喷涂组件，限位组件包括承接板，承接板的上端开设有安装槽，安装槽的内部安装有固定板，固定板的表面开设有限位槽，限位槽的内部安装有加工板，本实用新型通过设置的限位组件配合喷涂组件不仅能够对质子膜催化层的任意位置进行自动喷涂，从而增强喷涂装置的通用性，同时通过上述结构相互配合还能够对加工板进行自动清理，无需人工手动清理，因此能够降低劳动强度，提高使用便捷性。

本发明涉及一种新能源发电系统用高效率GaN三相逆变器模块，包括控制器、第一GaN半桥电路、第二GaN半桥电路、第三GaN半桥电路、检测电路和反馈电路；所述第一GaN半桥电路包括第一栅驱动电路H、第二栅驱动电路L、GaN功率开关MH、GaN功率开关ML、限流电阻RH、RL；所述第二GaN半桥电路包括第三栅驱动电路H1、第四栅驱动电路L1、GaN功率开关MH1和GaN功率开关ML1、限流电阻RH1、RL1；所述第三GaN半桥电路包括第五栅驱动电路H2、第六栅驱动电路L2、GaN功率开关MH2和GaN功率开关ML2、限流电阻RH2、RL2。本发明通过采用LGA封装的GaN HEMT器件实现全桥逆变器的高频化，进一步为提高功率等级采用多管并联结构，为提高可靠性采用双面布局结构实现高密度功率集成和高效率。

本发明涉及一种新能源汽车用GaN半桥LLC充电模块，包括：输入整流模块和GaN半桥LLC变换器模块，输入整流模块输出的高压母线Vbus和低压母线Vgnd进入GaN半桥LLC变换器模块进行DC/DC变换，得到输出高压母线Vout+和输出低压母线Vout‑。电路在版图实现时采用双面布局结构，包括：输入高压区和LLC版图区，以及跨接在输入高压区和LLC版图区之间的高压母线Vbus版图区和低压母线Vgnd版图区。本发明为提高半桥LLC电源模块的开关频率，采用LGA封装的GaN器件进行开关变换；为提高可靠性，采用双面布局结构对栅驱动、多管并联GaN器件和电压母线进行布局优化，保证GaN器件工作在安全区域状态，从而实现高密度功率集成和高效率，相关技术可以广泛应用于高密度车载充电机电源模块中。