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专利号: 2025205247470
申请人: 无锡至鑫微科技有限公司
专利类型:实用新型
专利状态:已下证
更新日期:2026-05-14
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种集成应力缓冲层的陶瓷压力传感器结构,包括外壳(1),其特征在于:所述外壳(1)的内壁固定连接有缓冲垫二(4),所述缓冲垫二(4)的顶端固定连接有多个伸缩柱一(5),多个所述伸缩柱一(5)的外部分别套设有弹簧一(6),所述缓冲垫二(4)的底端固定连接有陶片(2),所述陶片(2)的外部固定连接有多个缓冲垫一(3),所述陶片(2)的底端固定杆连接有多个伸缩柱二(7),多个所述伸缩柱二(7)的外部分别套设有弹簧二(8),多个所述伸缩柱二(7)的底端固定连接有缓冲垫三(9),所述缓冲垫三(9)的底端固定杆连接有多个伸缩柱三(10),多个所述伸缩柱三(10)的外部分别套设有弹簧三(11),所述外壳(1)的内壁顶端固定连接有用于束线的束线组件。

2.根据权利要求1所述的一种集成应力缓冲层的陶瓷压力传感器结构,其特征在于:所述束线组件包括多个收缩杆(13),多个所述收缩杆(13)的相远一端固定连接在所述外壳(1)的内壁,多个所述收缩杆(13)的相远一端分别固定连接有防护垫一(15),多个所述收缩杆(13)的外部分别套设有弹簧四(14),多个所述收缩杆(13)的相近一端外部分别固定连接有防护垫二(16),多个所述收缩杆(13)的相近一端固定连接有引导管(17)。

3.根据权利要求2所述的一种集成应力缓冲层的陶瓷压力传感器结构,其特征在于:所述引导管(17)的内壁固定连接有线路(18),所述线路(18)的顶端外部固定连接有上接口(20),所述线路(18)的底端固定连接有电子元件(12)。

4.根据权利要求3所述的一种集成应力缓冲层的陶瓷压力传感器结构,其特征在于:所述上接口(20)的外部底端固定连接有顶盖(19),所述顶盖(19)的底端固定连接在所述外壳(1)的顶端,所述外壳(1)的底端固定连接有下接口(21)。

5.根据权利要求2所述的一种集成应力缓冲层的陶瓷压力传感器结构,其特征在于:多个所述防护垫一(15)的相远一侧固定连接在所述外壳(1)的内壁,多个所述防护垫一(15)的相近一侧固定连接在多个所述弹簧四(14)的相远一端。

6.根据权利要求2所述的一种集成应力缓冲层的陶瓷压力传感器结构,其特征在于:多个所述防护垫二(16)的相近一侧固定连接在所述引导管(17)的外部,多个所述防护垫二(16)的相远一侧固定连接在多个所述弹簧四(14)的相近一端。

7.根据权利要求1所述的一种集成应力缓冲层的陶瓷压力传感器结构,其特征在于:多个所述缓冲垫一(3)的外部固定连接在所述外壳(1)的内部,所述缓冲垫三(9)的外部固定连接在所述外壳(1)的内部。

8.根据权利要求1所述的一种集成应力缓冲层的陶瓷压力传感器结构,其特征在于:多个所述弹簧一(6)的外部滑动连接在所述外壳(1)内部,多个所述弹簧一(6)的底端固定连接在所述缓冲垫二(4)的顶端。