1.一种射频带通滤波电路，其特征在于：包括用于与超高频传感器电气连接的高频信号采集单元（1），高频信号采集单元（1）将高频电磁波信号转换为电压信号，并将转换后的信号输入至放大电路单元（2）进行放大处理；放大电路单元（2）的输出端经高速开关二极管VD1与一级滤波器电气连接；所述一级滤波器包括并联连接的电阻R14和电容C8，一级滤波器用于滤除频率数值小于f1的电信号；由一级滤波器处理后的电信号又经阻抗匹配电阻R8与低通滤波器的输入端电气连接，低通滤波器的输出端经阻抗匹配电阻R9、二极管VD2将带通电信号输出至MCU主控芯片（3）；所述低通滤波器的截止频率为f2，低通滤波器包括并联连接的电容C5和电阻R11。

2.根据权利要求1所述的一种射频带通滤波电路，其特征在于：所述f1的数值为

100MHz,f2的数值为1500MHz。

3.根据权利要求1所述的一种射频带通滤波电路，其特征在于：所述二极管VD2与MCU主控芯片（3）之间还电气连接有三级滤波器；所述三级滤波器包括并联连接的电阻R12和电容C7;所述二极管VD2的阴极端经阻抗匹配电阻R10与电阻R12的一端、电容C7的一端、以及MCU主控芯片（3）电气连接；电阻R12的另一端、电容C7另一端均与接地端AGND电气连接。

4.根据权利要求1所述的一种射频带通滤波电路，其特征在于：所述高频信号采集单元（1）包括射频拾取芯片U2和用于插接超高频传感器的外插接口PEX,外插接口PEX的2管脚、3管脚均与接地端AGND电气连接，外插接口PEX的1管脚经射频耦合电容C6、降噪电阻R16、射频耦合电容C9、对称电阻R15与接地端AGND电气连接，电阻R16的两端分别与射频拾取芯片U2的2管脚、3管脚电气连接；射频拾取芯片U2的1管脚与滤波电容C4的一端、电解电容E2的正极端、电阻R2的一端电气连接，电阻R2的另一端与电源端VCC‑A5V电气连接，滤波电容C4的另一端、电解电容E2的负极端均与接地端AGND电气连接；射频拾取芯片U2的4管脚与滤波电容C10的一端、电解电容E3的正极端、电阻R17的一端电气连接，电阻R17的另一端与电源端VCC‑A5V电气连接，电解电容E3的负极端、滤波电容的C10另一端均与接地端AGND电气连接；射频拾取芯片U2的5管脚、6管脚均与接地端AGND电气连接；射频拾取芯片U2的7管脚经反馈电阻R13、阻抗匹配电阻R5与所述放大电路单元（2）的输入端电气连接，射频拾取芯片U2的8管脚电气连接在反馈电阻R13与阻抗匹配电阻R5之间。

5.根据权利要求4所述的一种射频带通滤波电路，其特征在于：所述射频拾取芯片U2的型号为AD8313。

6.根据权利要求1所述的一种射频带通滤波电路，其特征在于：所述放大电路单元（2）包括放大器U1，放大器U1的3管脚与所述高频信号采集单元（1）的输出端电气连接；放大器U1的4管脚与接地端AGND电气连接；放大器U1的2管脚电气连接在比例电阻R3、比例电阻R4之间，比例电阻R3的另一端与接地端AGND电气连接，比例电阻R4另一端一方面经滤波电容C1与接地端AGND电气连接，另一方面与放大器U1的6管脚电气连接；所述放大器U1的6管脚经阻抗匹配电阻R6、阻抗匹配电阻R7与所述高速开关二极管VD1电气连接；放大器U1的7管脚经电容C3与接地端AGND电气连接，经电容C2与接地端AGND电气连接，经电解电容E1与接地点AGND电气连接，还经电阻R1与电源端VCC‑A5V电气连接。

7.根据权利要求6所述的一种射频带通滤波电路，其特征在于：所述放大器U1的型号为AD8008。