1.一种可调节的高频电磁带隙带通滤波器，其特征在于，所述高频电磁带隙带通滤波器包括：EBG谐振腔和底部堆叠结构；

所述底部堆叠结构位于EBG谐振腔底部，用于提高所述高频电磁带隙带通滤波器能量存储能力，提高Q值；

所述EBG谐振腔内包含电容结构，通过调节电容的电容极板的大小调节所述高频电磁带隙带通滤波器的谐振频率；

所述高频电磁带隙带通滤波器包括：顶层金属板、通孔金属板、嵌入电容极板的金属板、金属地板，所述顶层金属板、通孔金属板、嵌入电容极板的金属板、金属地板上下依次排列，各金属板之间设有介质板；

所述介质板上设有周期性排列的金属柱，所述金属柱嵌入并贯穿所述介质板并与介质板两侧的金属板连接，形成周期性晶格结构与腔体结构；

所述顶层金属板设有输入端口和输出端口；

所述顶层金属板、通孔金属板、嵌入电容极板的金属板、金属地板，金属板之间的介质板和介质板上周期性晶格结构的金属柱构成EBG谐振腔。

2.根据权利要求1所述的高频电磁带隙带通滤波器，其特征在于，所述底部堆叠结构包括：

重复性堆叠的金属地板和金属地板之间的介质板，所述介质板上设有周期性排列的金属柱，所述金属柱嵌入并贯穿所述介质板并与介质板两侧的金属地板连接。

3.根据权利要求1所述的高频电磁带隙带通滤波器，其特征在于，所述高频电磁带隙带通滤波器还包括：能量耦合结构；

所述能量耦合结构设计在所述顶层金属板上，包括：共面波导、槽线和空心圆，所述输入端口和输出端口采用槽线能量耦合结构，用于实现能量的输入输出耦合。

4.根据权利要求3所述的高频电磁带隙带通滤波器，其特征在于，所述高频电磁带隙带通滤波器通过调节所述槽线的长度、所述空心圆的半径来改变所述高频电磁带隙带通滤波器的输入阻抗和耦合系数。

5.根据权利要求1所述的高频电磁带隙带通滤波器，其特征在于，所述电容结构为：所述嵌入电容极板的金属板上的电容极板与上下层金属板形成电容效应，并通过所述金属柱连接到所述顶层金属板上。

6.根据权利要求5所述的高频电磁带隙带通滤波器，其特征在于，所述嵌入电容极板的金属板的电容极板为金属圆盘，所述金属圆盘与上下层金属板形成所述电容结构，并通过金属柱连接到所述顶层金属板上，调节所述金属圆盘的半径来改变所述高频电磁带隙带通滤波器的工作频率。

7.根据权利要求1所述的高频电磁带隙带通滤波器，其特征在于，所述金属柱的间距和半径可调节，用于调节滤波器的带宽和工作频率。

8.根据权利要求1所述的高频电磁带隙带通滤波器，其特征在于，所述EBG谐振腔中心位置的金属柱的半径可调节，用于调节谐振腔之间的电耦合和磁耦合能力：当金属柱半径变大，谐振腔之间的电耦合减弱，磁耦合增强。

9.根据权利要求1所述的高频电磁带隙带通滤波器，其特征在于，所述高频电磁带隙带通滤波器由LTCC工艺制造。