1.一种氧化镓晶体的断裂风险评估方法，其特征在于，所述方法包括：

获取氧化镓晶体的目标几何形状，以及在所述目标几何形状下所述氧化镓晶体中网格点的温度分布数据、各向异性热膨胀张量和刚度矩阵；所述网格点指的是对目标几何形状下的氧化镓晶体进行网格划分后形成的各个计算网格中的网格节点；

根据所述目标几何形状、所述各向异性热膨胀张量、所述刚度矩阵和所述温度分布数据，获取所述网格点的热应力张量；

根据所述热应力张量，确定所述氧化镓晶体中目标晶面所受到的法向分正应力；

获取所述目标晶面对应的临界解理应力；

基于所述法向分正应力和所述临界解理应力，确定所述氧化镓晶体的断裂风险；其中，所述根据所述热应力张量，确定所述氧化镓晶体中目标晶面所受到的法向分正应力，包括：根据所述热应力张量，获取所述热应力张量沿目标晶面的法向方向的法向热应力分量，所述法向热应力分量为： ；其中， 表示所述法向热应力分量；表示所述目标晶面的法向向量；表示所述网格点的热应力张量；

将所述法向热应力分量，确定为所述目标晶面所受到的法向分正应力；

所述基于所述法向分正应力和所述临界解理应力，确定所述氧化镓晶体的断裂风险，包括：在所述氧化镓晶体中目标晶面的数量为1的情况下，根据所述临界解理应力确定第一参考范围；若所述法向分正应力落入所述第一参考范围，则确定所述氧化镓晶体在所述目标晶面处存在断裂风险； 若所述法向分正应力未落入所述第一参考范围，则确定所述氧化镓晶体不存在断裂风险；

在所述氧化镓晶体中目标晶面的数量大于1的情况下，计算所述氧化镓晶体中各个目标晶面所受到的法向分正应力与所述目标晶面对应的临界解理应力的比值；获取所述氧化镓晶体对应的第二参考范围；若所述比值落入第二参考范围，则确定所述氧化镓晶体在所述目标晶面处存在断裂风险；若所述氧化镓晶体中各个目标晶面所受到的法向分正应力与所述目标晶面对应的临界解理应力的比值均未落入所述第二参考范围，则确定所述氧化镓晶体不存在断裂风险。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述目标几何形状、所述各向异性热膨胀张量、所述刚度矩阵和所述温度分布数据，获取所述网格点的热应力张量，包括：根据所述各向异性热膨胀张量、所述刚度矩阵和所述温度分布数据，确定所述网格点的热应力和热应变之间的第一关联关系；

获取在所述目标几何形状下，所述网格点的热应变和所述网格点的位移之间的第二关联关系；所述网格点的位移指的是在所述目标几何形状下，所述网格点由于热应变而产生的位移；

获取在所述目标几何形状下，所述网格点的应力平衡关系；

根据所述第一关联关系、所述第二关联关系和所述应力平衡关系，确定所述网格点的热应力张量。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一关联关系、所述第二关联关系和应力平衡关系，确定所述网格点的热应力张量，包括：确定在所述目标几何形状下所述氧化镓晶体对应的边界条件；其中，所述边界条件包括自由边界和固定约束边界，所述自由边界为： ， 表示自由边界面上的法向向量，表示所述自由边界上网格点的热应力分量，i和j分别独立地选自三维直角坐标系中的任一坐标轴所在的方向，所述固定约束边界为： ， ， 表示固定约束边界上网格点沿i方向的线位移， 表示固定约束边界上网格点相对于所述i方向的角位移；

基于所述边界条件，联立求解所述第一关联关系、所述第二关联关系和所述应力平衡关系，得到所述网格点的热应力张量。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述各向异性热膨胀张量、所述刚度矩阵和所述温度分布数据，确定所述网格点的热应力和热应变之间的第一关联关系，包括：根据所述温度分布数据，确定所述网格点的实际温度与参考温度之间的温度差；

根据所述温度差、所述各向异性热膨胀张量，以及所述刚度矩阵，确定所述网格点的热应力和热应变之间的第一关联关系。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述获取在所述目标几何形状下，所述网格点的热应变和所述网格点的位移之间的第二关联关系，包括：获取在所述目标几何形状下所述网格点的位移梯度；

基于所述位移梯度，确定所述网格点的热应变和所述网格点的位移之间的第二关联关系。

6.一种电子设备，其特征在于，包括存储器和处理器，所述存储器用于存储计算机程序，所述处理器用于执行所述计算机程序时实现如权利要求1至5任一项所述的氧化镓晶体的断裂风险评估方法。