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专利号: 2025108743547
申请人: 浙江工业大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2026-07-29
缴费截止日期: 暂无
联系人

摘要:

权利要求书:

1.一种分子印迹电化学比率传感器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤(1):在针灸针微电极的表面沉积金纳米颗粒;

步骤(2):继续沉积碳纳米管和聚3,4‑乙烯二氧噻吩的复合物;

步骤(3):进一步沉积聚阿魏酸;

步骤(4):再沉积金纳米颗粒;

步骤(5):在步骤(4)沉积的金纳米颗粒上锚定碱性成纤维细胞生长因子蛋白模板;

步骤(6):继续沉积聚吡咯和聚亚甲基蓝的分子印迹聚合膜;

步骤(7):最后脱除碱性成纤维细胞生长因子蛋白模板,即得所述分子印迹电化学比率传感器;

所述步骤(1)‑(7)的操作均在所述针灸针微电极靠近尖端的0.1 mm   10 mm上进行。

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2.根据权利要求1所述的分子印迹电化学比率传感器的制备方法,其特征在于,所述针灸针微电极在第一次沉积金纳米颗粒前还包含表面处理步骤。

3.根据权利要求1所述的分子印迹电化学比率传感器的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中沉积金纳米颗粒的具体操作方法为:将针灸针微电极的尖端浸入HAuCl4溶液中,在‑1.5 V   +0.5 V的电位范围内利用循环伏安法循环扫描。

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4.根据权利要求1所述的分子印迹电化学比率传感器的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中沉积碳纳米管和聚3,4‑乙烯二氧噻吩的复合物的具体操作方法为:将上一步处理的微电极在含碳纳米管和3,4‑乙烯二氧噻吩的混合溶液中表面电聚合碳纳米管和聚3,4‑乙烯二氧噻吩的复合物。

5.根据权利要求1所述的分子印迹电化学比率传感器的制备方法,其特征在于,所述步骤(3)中沉积聚阿魏酸的具体操作方法为:将上一步处理的微电极浸入含有阿魏酸的溶液中,在‑0.25 V   +0.75 V的电位范围内利用循环伏安法循环扫描。

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6.根据权利要求1所述的分子印迹电化学比率传感器的制备方法,其特征在于,所述步骤(4)中沉积金纳米颗粒的具体操作方法为:将上一步处理的微电极浸入HAuCl4溶液中,在‑1.5 V   +0.5 V的电位范围内利用循环伏安法循环扫描。

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7.根据权利要求1所述的分子印迹电化学比率传感器的制备方法,其特征在于,所述步骤(5)中锚定碱性成纤维细胞生长因子蛋白模板的具体操作方法为:将上一步处理的微电极浸入含碱性成纤维细胞生长因子蛋白的溶液中,在4 ℃下孵育,即完成锚定。

8.根据权利要求1所述的分子印迹电化学比率传感器的制备方法,其特征在于,所述步骤(6)中沉积聚吡咯和聚亚甲基蓝的分子印迹聚合膜的具体操作方法为:将上一步处理的微电极浸入含有吡咯的溶液中,在‑0.3 V   +0.8 V的电位范围内利用循环伏安法循环扫~描,接着浸入含有亚甲基蓝的溶液中,在‑0.7 V   +0.4 V的电位范围内利用循环伏安法循~环扫描。

9.根据权利要求1所述的分子印迹电化学比率传感器的制备方法,其特征在于,所述步骤(7)中脱除碱性成纤维细胞生长因子蛋白模板的具体操作方法为:将上一步处理的微电极放入含十二烷基硫酸钠的乙酸水溶液中进行洗脱。

10.一种根据权利要求1   9任一项所述分子印迹电化学比率传感器的制备方法制得~的分子印迹电化学比率传感器。