1.一种青蒿素分子印迹光电化学传感器的制备方法，其特征是：基于细胞色素C与焦宁B作用，具体的步骤如下：(1)玻碳电极的处理：将玻碳电极磨光，清洗后干燥；

(2)青蒿素分子印迹电极的制备：将经过步骤(1)处理的玻碳电极浸入到含有青蒿素、丙烯酰胺、二甲基丙烯酸乙二醇酯、偶氮二异丁腈和氯化钾的脱氧磷酸盐缓冲液中，采用循环伏安法扫描特定圈数，再将该电极用醋酸和甲醇的混合液浸泡后洗脱模版分子，即得青蒿素分子印迹电极；

(3)分子印迹电极的掩蔽、孵化和竞争：将步骤(2)制备的分子印迹电极浸入到含青蒿素的溶液中掩蔽空穴，然后放入含细胞色素C标记的青蒿素溶液中浸泡，再将其放入含青蒿素的溶液中发生竞争反应；

(4)青蒿素分子印迹传感器电信号和光信号的检测：将玻碳电极放入含有K3[Fe(CN)6]/K4[Fe(CN)6]和氯化钾的电解质溶液进行循环伏安扫描得到电信号的变化情况，然后将电极放入含有焦宁B和三酸的缓冲液中，检测荧光信号的变化情况。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征是：所述步骤(1)中具体步骤：将玻碳电极用

0.3μm和0.05μm的氧化铝膏磨光，然后放入蒸馏水和乙醛的混合溶液中超声清洗，取出后用氮气吹至干燥。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征是：所述步骤(2)中青蒿素为10～20μM，丙烯酰胺为0.01～0.10mM，二甲基丙烯酸乙二醇酯为0.1～1.0mM，偶氮二异丁腈为0.01～0.10mM，氯化钾为0.05～0.5M。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征是：所述步骤(2)中扫描电压为-0.2～1.2V，扫描速率为50～500mVs-1，扫描圈数为5～50圈，浸泡30min～3h。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征是：所述步骤(3)中所使用的温度为20～50℃。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征是：所述步骤(3)中细胞色素C标记青蒿素溶液为1～10mM。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征是：所述步骤(3)中掩蔽10～30min，浸泡10～

50min。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征是：所述步骤(4)中所述的三酸缓冲溶液pH为

5.7～6.0，三酸浓度为0.1～1.0M。

9.权利要求1-8任一所述的方法制备得到的电化学传感器。