1.一种晶体生长炉的模型构建方法,其特征在于,所述方法包括:
根据晶体生长炉中的加热器,构建与所述加热器对应的第一三维图形;所述第一三维图形具有二维轴对称性且所述第一三维图形的体积等于所述加热器的体积;根据晶体生长炉中加热器的边缘轮廓,构建所述加热器对应的三维实心环形;所述三维实心环形在与第三中心轴线平行方向上的尺寸等于所述加热器在与第一中心轴线平行方向上的尺寸,所述三维实心环形在与所述第三中心轴线垂直方向上的尺寸等于所述加热器在与所述第一中心轴线垂直方向上的尺寸;所述三维实心环形的体积大于所述加热器的体积,且所述三维实心环形具有二维轴对称性;所述第三中心轴线为所述三维实心环形的中心轴线;根据所述三维实心环形和所述加热器,从所述三维实心环形中确定目标缝隙;所述目标缝隙具有二维轴对称性,且所述目标缝隙的体积等于所述三维实心环形的体积与所述加热器的体积之间的差值;根据所述目标缝隙和所述三维实心环形,构建所述加热器对应的第一三维图形;
根据所述晶体生长炉中与所述加热器配合设置的电极,以及所述加热器的第一中心轴线与所述电极的第二中心轴线之间的第一距离,构建与所述电极对应的第二三维图形;所述第二三维图形具有二维轴对称性且所述第二三维图形的体积等于所述电极的体积;获取与所述加热器配合设置的电极在与所述第一中心轴线平行方向上的第三尺寸;根据所述第三尺寸,获取与所述加热器配合设置的电极的第三体积;根据所述第三体积、所述第三尺寸,以及所述加热器的第一中心轴线与所述电极的第二中心轴线之间的第一距离,计算第二三维图形在与第四中心轴线垂直方向上的第四尺寸;所述第四中心轴线为所述第一三维图形的中心轴线;根据所述第四尺寸,以所述第四中心轴线为中心,构建与所述第四中心轴线之间的距离等于所述第一距离的三维环形,并将所述三维环形确定为所述电极对应的第二三维图形;
根据所述第一三维图形构建所述加热器对应的二维加热器模型,并根据所述第二三维图形构建所述电极对应的二维电极模型;将所述第一三维图形和所述第二三维图形进行组合,得到组合三维图形;在所述组合三维图形中,所述第一三维图形的第四中心轴线与所述第二三维图形的中心轴线重合;沿着所述第四中心轴线所在的任意平面将所述组合三维图形剖开,得到剖面图;将所述剖面图中所述第一三维图形的二维剖面图确定为二维加热器模型,并将所述剖面图中所述第二三维图形的二维剖面图确定为二维电极模型;
获取所述加热器的第一功率密度和所述电极的第二功率密度;
将所述第一功率密度加载到所述二维加热器模型,并将所述第二功率密度加载到所述二维电极模型;
基于所述二维加热器模型和所述二维电极模型,对所述晶体生长炉进行数值模拟。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述三维实心环形和所述加热器,从所述三维实心环形中确定目标缝隙,包括:将所述加热器划分为至少两个同轴圆环,并确定每个所述同轴圆环的第一体积;
根据所述同轴圆环在所述加热器中的位置,将所述三维实心环形划分为与所述同轴圆环一一对应的实心圆环;所述实心圆环在与所述第三中心轴线平行方向上的尺寸等于与所述实心圆环一一对应的同轴圆环在与所述第一中心轴线平行方向上的第一尺寸,且所述实心圆环在与所述第三中心轴线垂直方向上的尺寸等于与所述实心圆环一一对应的同轴圆环在与所述第一中心轴线垂直方向上的第二尺寸;
获取所述实心圆环的第一内圆半径和第一外圆半径;
基于所述第一内圆半径和所述第一外圆半径,确定所述实心圆环的第二体积;
根据所述第二体积与所述第一体积之间的第一差值、所述第一内圆半径、所述第一外圆半径和所述第一尺寸,计算所述实心圆环对应的目标缝隙的宽度尺寸;
根据所述宽度尺寸,从所述实心圆环中确定目标缝隙。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述获取所述实心圆环的第一内圆半径,包括:获取所述三维实心环形的第二内圆半径和第二外圆半径;
计算所述第二外圆半径与所述第二内圆半径的第二差值;
获取所述三维实心环形中的实心圆环的位置编号,并计算所述位置编号与预设参数之间的第三差值;
计算所述第三差值与所述三维实心环形中实心圆环的总数量之间的第一比值;
计算所述第二差值与所述第一比值之间的第一乘积;
计算所述第一乘积与所述第二内圆半径之间的第一和值,并将所述第一和值确定为所述实心圆环的第一内圆半径。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述根据所述第二体积与所述第一体积之间的第一差值、所述第一内圆半径、所述第一外圆半径和所述第一尺寸,计算所述实心圆环对应的目标缝隙的宽度尺寸,包括:根据所述第二体积与所述第一体积之间的第一差值、所述第一内圆半径、所述第一外圆半径和所述第一尺寸,计算所述实心圆环对应的目标缝隙的宽度尺寸,所述实心圆环对应的目标缝隙的宽度尺寸为:;
其中, 表示第j个实心圆环对应的目标缝隙的宽度尺寸; 表示所述第一差值;表示第j个实心圆环的第一内圆半径; 表示所述第一尺寸;j为大于0且小于或者等于所述三维实心环形中实心圆环的总数量的整数。
5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述根据所述第二体积与所述第一体积之间的第一差值、所述第一内圆半径、所述第一外圆半径和所述第一尺寸,计算所述实心圆环对应的目标缝隙的宽度尺寸,包括:根据所述第二体积与所述第一体积之间的第一差值、所述第一内圆半径、所述第一外圆半径和所述第一尺寸,计算所述实心圆环对应的目标缝隙的宽度尺寸,所述实心圆环对应的目标缝隙的宽度尺寸为:;
其中, 表示第j个实心圆环对应的目标缝隙的宽度尺寸; 表示所述第一差值;表示第j个实心圆环的第一内圆半径; 表示第j个实心圆环的第一外圆半径;j为大于0且小于或者等于所述三维实心环形中实心圆环的总数量的整数。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述获取所述加热器的第一功率密度和所述电极的第二功率密度,包括:获取所述加热器的第一加热功率和所述电极的第二加热功率;
根据所述第一加热功率和所述第一三维图形的体积,计算所述加热器的第一功率密度;
根据所述第二加热功率和所述第二三维图形的体积,计算所述电极的第二功率密度。
7.一种电子设备,其特征在于,包括:存储器和处理器,所述存储器用于存储计算机程序,所述处理器用于执行所述计算机程序时实现如权利要求1至6任一项所述的晶体生长炉的模型构建方法。