1.一种导模法生长氧化镓晶体的模具设计方法，其特征在于，所述方法包括：

基于包括待设计模具的晶体生长炉和利用所述晶体生长炉生长的氧化镓晶体，确定所述氧化镓晶体对应的结晶界面；所述结晶界面为所述氧化镓晶体和处于所述待设计模具顶部的氧化镓熔体之间的固液交界面；

获取所述待设计模具的顶部边沿与所述结晶界面的边沿之间的最大距离；所述最大距离为所述待设计模具的顶部边沿与所述结晶界面的边沿之间垂直距离的最大值；

确定所述结晶界面是否满足目标条件；所述目标条件为所述结晶界面整体凸向所述待设计模具且所述结晶界面与所述待设计模具未粘连；

在所述最大距离小于目标距离且所述结晶界面不满足所述目标条件的情况下，根据所述目标距离，对所述待设计模具进行一次凹槽处理，以使一次凹槽处理后的待设计模具的顶部边沿与所述结晶界面的边沿之间的最大距离等于所述目标距离和/或所述结晶界面满足所述目标条件；所述目标距离为在所述氧化镓熔体的表面张力和重力保持平衡的情况下所述待设计模具的顶部与所述结晶界面之间的极限距离；

在所述最大距离等于所述目标距离且所述结晶界面不满足所述目标条件的情况下，根据所述结晶界面，对所述待设计模具进行二次凹槽处理，直至所述结晶界面满足所述目标条件；二次凹槽处理后的待设计模具的顶部边沿与所述结晶界面的边沿之间的最大距离等于所述目标距离；

在所述最大距离小于或者等于所述目标距离并且所述结晶界面满足所述目标条件的情况下，将所述待设计模具确定为目标模具。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述最大距离等于所述目标距离且所述结晶界面不满足所述目标条件的情况下，根据所述结晶界面，对所述待设计模具进行二次凹槽处理，包括：在所述最大距离等于所述目标距离、所述结晶界面的中间区域凸向所述待设计模具且所述结晶界面的边缘区域凹向所述氧化镓晶体的情况下，获取所述边缘区域的宽度值；

根据所述宽度值、二次凹槽处理的第一预期下凹深度以及所述待设计模具中毛细管狭缝所在的目标平面，从所述待设计模具中确定所述边缘区域对应的第一下凹位置；

确定所述待设计模具中与所述第一下凹位置之间的连接路径；

根据所述待设计模具的第一边沿、所述边缘区域对应的第一下凹位置，确定所述边缘区域对应的第一下凹路径；所述第一边沿为所述待设计模具中与所述边缘区域对应的顶部边沿；

根据所述待设计模具的第二边沿、所述连接路径，确定所述中间区域对应的第二下凹路径；所述第二边沿为所述待设计模具中与所述中间区域对应的顶部边沿；

按照所述第一下凹路径和所述第二下凹路径对所述待设计模具进行二次凹槽处理。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，沿着所述第一边沿至所述第一下凹位置所在的方向，所述第一下凹路径与水平面之间的夹角不变或者逐渐增大；

沿着所述第二边沿至所述连接路径所在的方向，所述第二下凹路径与水平面的夹角不变或者逐渐增大。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述最大距离等于所述目标距离且所述结晶界面不满足所述目标条件的情况下，根据所述结晶界面，对所述待设计模具进行二次凹槽处理，包括：在所述最大距离等于所述目标距离且所述结晶界面整体凹向所述氧化镓晶体的情况下，获取所述待设计模具的宽度和厚度之比，得到宽厚比；

根据二次凹槽处理的第二预期下凹深度、所述待设计模具中毛细管狭缝所在的目标平面以及所述结晶界面的最高点所在位置，确定第二下凹位置；

根据所述宽厚比、所述待设计模具的顶部边沿和所述第二下凹位置，确定沿所述待设计模具的宽度方向的第三下凹路径和沿所述待设计模具的厚度方向的第四下凹路径；

按照所述第三下凹路径和所述第四下凹路径对所述待设计模具进行二次凹槽处理。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述宽厚比、所述待设计模具的顶部边沿和所述第二下凹位置，确定沿所述待设计模具的宽度方向的第三下凹路径和沿所述待设计模具的厚度方向的第四下凹路径，包括：在所述宽厚比小于或者等于预设参数的情况下，以所述待设计模具的第三边沿为路径起始位置，以所述第二下凹位置为路径终止位置，确定沿所述待设计模具的宽度方向的第三下凹路径；所述第三边沿为所述待设计模具在所述待设计模具的厚度方向上的顶部边沿；

以所述待设计模具的第四边沿为路径起始位置，以所述第二下凹位置为路径终止位置，确定沿所述待设计模具的厚度方向的第四下凹路径；所述第四边沿为所述待设计模具在所述待设计模具的宽度方向上的顶部边沿。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述宽厚比、所述待设计模具的顶部边沿和所述第二下凹位置，确定沿所述待设计模具的宽度方向的第三下凹路径和沿所述待设计模具的厚度方向的第四下凹路径，包括：在所述宽厚比大于预设参数的情况下，以所述待设计模具的第三边沿为路径起始位置，以所述第二下凹位置为路径终止位置，确定沿所述待设计模具的宽度方向的第三下凹路径；所述第三边沿为所述待设计模具在所述待设计模具的厚度方向上的顶部边沿；

获取所述第三下凹路径与水平面的第一夹角；

获取沿所述待设计模具的厚度方向的第一下凹子路径在所述待设计模具的厚度方向上的第一投影距离；所述第一投影距离小于所述第二下凹位置与所述待设计模具的第一侧边之间的最小距离，所述第一侧边为所述待设计模具中与所述待设计模具的宽度方向平行的侧边；

根据所述第一夹角和所述第一投影距离，确定第三下凹位置；

以所述待设计模具的第四边沿为路径起始位置，以所述第三下凹位置为路径终止位置，确定沿所述待设计模具的厚度方向的第一下凹子路径；所述第四边沿为所述待设计模具在所述待设计模具的宽度方向上的顶部边沿；所述第一下凹子路径与水平面的第二夹角等于所述第一夹角；

以所述第三下凹位置为路径起始位置，以所述第二下凹位置为路径终止位置，确定沿所述待设计模具的厚度方向的第二下凹子路径，所述第一下凹子路径和所述第二下凹子路径连接构成沿所述待设计模具的厚度方向的第四下凹路径；所述第二夹角小于所述第二下凹子路径与水平面的第三夹角。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述以所述待设计模具的第三边沿为路径起始位置，以所述第二下凹位置为路径终止位置，确定沿所述待设计模具的宽度方向的第三下凹路径，包括：获取沿所述待设计模具的宽度方向的第三下凹子路径的第三预期下凹深度和所述第三下凹子路径在所述待设计模具的宽度方向上的第二投影距离；所述第三预期下凹深度小于所述第二预期下凹深度，所述第二投影距离小于所述第二下凹位置与所述待设计模具的第二侧边之间的最小距离，所述第二侧边为所述待设计模具中与所述待设计模具的厚度方向平行的侧边；

根据所述第三预期下凹深度和所述第二投影距离，确定第四下凹位置；

以所述待设计模具的第三边沿为路径起始位置，以所述第四下凹位置为路径终止位置，确定沿所述待设计模具的宽度方向的第三下凹子路径；

以所述第四下凹位置为路径起始位置，以所述第二下凹位置为路径终止位置，确定沿所述待设计模具的宽度方向的第四下凹子路径，所述第三下凹子路径和所述第四下凹子路径连接构成沿所述待设计模具的宽度方向的第三下凹路径；所述第三下凹子路径与水平面的第四夹角小于所述第四下凹子路径与水平面的第五夹角，所述第四夹角等于所述第二夹角且所述第五夹角小于所述第三夹角。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定所述结晶界面是否满足目标条件，包括：确定所述结晶界面的形状，以及所述结晶界面与所述待设计模具之间的位置关系；

在所述位置关系指示所述结晶界面与所述待设计模具的顶部存在交点的情况下，确定所述结晶界面与所述待设计模具粘连；

在所述结晶界面的形状满足第一形状，或者所述结晶界面与所述待设计模具粘连的情况下，确定所述结晶界面不满足目标条件；

在所述结晶界面的形状满足第二形状且所述结晶界面与所述待设计模具未粘连的情况下，确定所述结晶界面满足目标条件；

其中，所述第一形状包括所述结晶界面的中间区域凸向所述待设计模具且边缘区域凹向所述氧化镓晶体、所述结晶界面整体凹向所述氧化镓晶体、所述结晶界面为平面中的任一项；

所述第二形状包括所述结晶界面整体凸向所述待设计模具。

9.一种模具，其特征在于，所述模具为通过如权利要求1至8任一项所述的导模法生长氧化镓晶体的模具设计方法设计得到的。

10.一种晶体生长炉，其特征在于，所述晶体生长炉中包括如权利要求9所述的模具。