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专利号: 2025106281628
申请人: 蚌埠学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2026-06-16
缴费截止日期: 暂无
联系人

摘要:

权利要求书:

1.一种自模板异相界面原位氧化还原反应制备Bi2O2CO3纳米片的方法,其特征在于,将NaBiO3·2H2O和C3N3(NH2)3加入到含蒸馏水的水热反应釜中,搅拌均匀,得固液混合物;所述固液混合物在水热条件下,通过自模板的异相界面原位氧化还原反应,制备出Bi2O2CO3纳米片;上述反应中,以NaBiO3·2H2O为铋源,同时,所述NaBiO3·2H2O也作为氧化剂和固体模板剂,反应过程如下:

2.根据权利要求1所述的自模板异相界面原位氧化还原反应制备Bi2O2CO3纳米片的方法,其特征在于,所述NaBiO3·2H2O和C3N3(NH2)3的摩尔比为1:1。

3.根据权利要求1所述的自模板异相界面原位氧化还原反应制备Bi2O2CO3纳米片的方法,其特征在于,所述固液混合物在180~200℃的水热条件下反应10~30h。

4.根据权利要求1所述的自模板异相界面原位氧化还原反应制备Bi2O2CO3纳米片的方法,其特征在于,水热反应后,反应产物经离心分离、蒸馏水洗涤和真空干燥后,得目标所述的Bi2O2CO3纳米片。

5.根据权利要求4所述的自模板异相界面原位氧化还原反应制备Bi2O2CO3纳米片的方法,其特征在于,所述真空干燥条件为:60℃、0.1Mpa真空度下,真空干燥2h。

6.根据权利要求1~5任一所述的自模板异相界面原位氧化还原反应制备Bi2O2CO3纳米片的方法,其特征在于,所述Bi2O2CO3纳米片的厚度为10~15nm。

7.根据权利要求1~5任一所述的自模板异相界面原位氧化还原反应制备Bi2O2CO3纳米片的方法,其特征在于,所述Bi2O2CO3纳米片中,Bi2O2CO3的平均晶粒尺寸为73.1~93.7nm。