1.一种去厚均匀的硅片全自动抛光方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、贴片，通过贴片设备将硅片（7）沿陶瓷盘（6）圆周均匀铺贴多片，随后转移到抛光设备上；

步骤二、粗抛，抛光垫（4）对硅片（7）表面进行打磨抛光，并同时对陶瓷盘（6）施加400‑

500千克的压力，抛光6‑8分钟；

步骤三、中抛，通过旋转机器手（5）转移陶瓷盘（6）和硅片（7），对硅片（7）进一步抛光，对陶瓷盘（6）施加200‑300千克的压力，抛光6‑8分钟；

步骤四、精抛，通过旋转机器手（5）转移陶瓷盘（6）和硅片（7），对硅片（7）做最后的抛光，并同时对陶瓷盘（6）施加100‑200千克的压力，抛光6‑8分钟；

粗抛、中抛、精抛步骤中，通过不同的副加压气缸（122）带动对应的移动环（121）移动，改变接触硅片表面的压块（116）数量，使最外侧接触硅片的压块（116）作用在硅片圆心处，最内侧接触硅片的压块（116）作用在硅片的最大外径处。

2.根据权利要求1所述的一种去厚均匀的硅片全自动抛光方法，其特征在于，在所述贴片步骤前还包括涮洗工序，刷洗速度500±50rpm；甩干速度2000±100rpm；甩干时间30±

5s。

3.根据权利要求1所述的一种去厚均匀的硅片全自动抛光方法，其特征在于，所述贴片步骤中，通过旋蜡方式将液体蜡均匀涂覆在硅片表面，将液体蜡均匀滴落在硅片上，旋转并按压硅片，将液体蜡均匀分布在硅片表面。

4.根据权利要求3所述的一种去厚均匀的硅片全自动抛光方法，其特征在于，所述贴片步骤中，硅片表面带蜡后，经过烘烤硅片，并通过机械手确定参考面并翻转后，按压贴到预热后的陶瓷盘上。

5.根据权利要求1所述的一种去厚均匀的硅片全自动抛光方法，其特征在于，所述中抛步骤中，所有与硅片接触的压块（116）均施加260‑300千克的压力，磨抛3‑4分钟；靠近硅片边缘的压块（116）压力减小至220‑260千克压力，继续磨抛3‑4分钟。

6.根据权利要求1所述的一种去厚均匀的硅片全自动抛光方法，其特征在于，所述精抛步骤中，所有与硅片接触的压块（116）均施加170‑180千克的压力，磨抛3‑4分钟；靠近硅片边缘的压块（116）压力减小至150‑170千克压力，继续磨抛1‑2分钟；靠近硅片边缘的压块（116）压力减小至130‑150千克压力，靠近硅片中心的压块（116）压力增加至180‑200千克，继续磨抛1‑2分钟。

7.一种去厚均匀的硅片全自动抛光设备，用于实现权利要求1‑6任一项所述的一种去厚均匀的硅片全自动抛光方法，其特征在于，包括：机体（3）以及磨抛机构（1），所述磨抛机构（1）设置于所述机体（3）上且用于调节施加在硅片（7）上不同位置的压力；喷液机构（2），所述喷液机构（2）设置于所述机体（3）上且用于向所述硅片（7）均匀喷洒抛光液；所述磨抛机构（1）包括：主压组件（11），所述主压组件（11）设置于所述机体（3）上且用来给陶瓷盘（6）中心处施加压力；副压组件（12），所述副压组件（12）设置于所述主压组件（11）上且用来调整对所述陶瓷盘（6）边缘施加的压力。

8.根据权利要求7所述的一种去厚均匀的硅片全自动抛光设备，其特征在于，所述主压组件（11）包括：主加压气缸（111），所述主压组件（11）设置于所述机体（3）上；

主轴（112），所述主轴（112）设置于所述主加压气缸（111）的顶杆上；

压头（114），所述压头（114）转动设置于所述主轴（112）上；

限位条（115），所述限位条（115）沿所述压头（114）圆周设置有多道；

压块（116），所述压块（116）设置有多个，且滑动设置于所述压头（114）上，所述压块（116）彼此之间相互滑动连接；

限位块（117），所述限位块（117）沿所述压块（116）圆周设置有多个，与所述压块（116）上的凹槽卡合并起到限位和导向的作用；

防护罩（118），所述防护罩（118）设置于压块（116）上。

9.根据权利要求8所述的一种去厚均匀的硅片全自动抛光设备，其特征在于，所述副压组件（12）包括：移动环（121），所述移动环（121）滑动设置于所述压头（114）上，且所述移动环（121）内部凹槽与所述限位条（115）卡合；

副加压气缸（122），所述副加压气缸（122）设置于所述压头（114）上且呈对称设置；

连接块（123），所述连接块（123）与所述副加压气缸（122）的顶杆相连接，且所述连接块（123）分别依次设置在不同的所述移动环（121）上；

连接板（124），所述连接板（124）的两端分别与不同的所述移动环（121）和所述压块（116）相连接，且所述连接板（124）沿所述移动环（121）的圆周设置有多组。