1.一种导模法生长氧化镓晶体的网格确定方法，其特征在于，所述方法包括：

根据晶体生长炉、所述晶体生长炉中的氧化镓熔体和利用所述晶体生长炉通过导模法生长的氧化镓晶体，建立几何模型；所述晶体生长炉中包括模具，处于所述模具的顶部和所述氧化镓晶体之间的氧化镓熔体为液桥；所述几何模型包括模具区域、液桥区域、晶体区域以及与所述模具区域、所述液桥区域和所述晶体区域相邻的气体区域，所述液桥区域和所述晶体区域之间的第一交界面为所述氧化镓晶体对应的结晶界面；

将所述模具区域、所述液桥区域和所述晶体区域确定为第一区域，并对所述第一区域进行六面体网格划分，得到构成所述第一区域的第一六面体网格；所述第一六面体网格包括构成所述结晶界面的目标网格面；

从所述气体区域中确定同时与所述液桥区域和所述晶体区域存在交界面的第二区域，并对所述第二区域进行六面体网格划分，得到构成所述第二区域的第二六面体网格；在所述第一区域和所述第二区域的第二交界面上，所述第二六面体网格中的第二网格面与所述第一六面体网格中的第一网格面重合；

在所述目标网格面中的第一网格节点发生移动的情况下，对所述第二网格面中的第二网格节点进行移动；所述第一网格节点为所述目标网格面中处于所述第二交界面上的网格节点；

其中，所述在所述目标网格面中的第一网格节点发生移动的情况下，对所述第二网格面中的第二网格节点进行移动，包括：在所述目标网格面中的第一网格节点发生移动的情况下，获取所述第一网格节点的第一坐标和所述第一网格节点的第一移动参数；所述第一坐标为所述第一网格节点移动前的初始坐标；

获取所述第二网格面中的第二网格节点的第二坐标；

将所述第二坐标与所述第一坐标进行匹配；

在所述第二坐标中存在与所述第一坐标相匹配的目标坐标情况下，获取所述第一坐标对应的第一移动参数，并按照所述第一移动参数对所述目标坐标对应的第二网格节点进行移动。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述第一区域进行六面体网格划分，得到构成所述第一区域的第一六面体网格，包括：获取所述模具的第一最小几何尺寸，并根据所述第一最小几何尺寸对所述模具区域进行六面体网格划分，得到构成所述模具区域的至少两个第三六面体网格；所述第三六面体网格的最大网格尺寸小于或者等于所述第一最小几何尺寸的a倍，a大于0且小于1；

获取所述氧化镓晶体的第二最小几何尺寸，并根据所述第二最小几何尺寸对所述晶体区域进行六面体网格划分，得到构成所述晶体区域的至少两个第四六面体网格；所述第四六面体网格的最大网格尺寸小于或者等于所述第二最小几何尺寸的b倍，b大于0且小于1；

对所述液桥区域进行六面体网格划分，得到构成所述液桥区域的第五六面体网格；所述第五六面体网格在所述氧化镓晶体的生长方向上的层数大于或者等于第一预设阈值；所述第三六面体网格、所述第四六面体网格和所述第五六面体网格在所述氧化镓晶体的宽度方向上的尺寸相等，并且所述第三六面体网格、所述第四六面体网格和所述第五六面体网格在所述氧化镓晶体的厚度方向上的尺寸相等；

将所述第三六面体网格、所述第四六面体网格和所述第五六面体网格，确定为构成所述第一区域的第一六面体网格。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述从所述气体区域中确定同时与所述液桥区域和所述晶体区域存在交界面的第二区域，包括：获取所述液桥区域在所述氧化镓晶体的生长方向上的第一尺寸；

根据所述第一尺寸，确定第二区域对应的目标尺寸；

以所述液桥区域的底边为起始位置沿着所述氧化镓晶体的生长方向延伸所述目标尺寸，以所述氧化镓晶体中与所述氧化镓晶体的宽度方向平行的侧边为起始位置沿着所述氧化镓晶体的厚度方向延伸所述目标尺寸，并以所述氧化镓晶体中与所述氧化镓晶体的厚度方向平行的侧边为起始位置沿着所述氧化镓晶体的宽度方向延伸所述目标尺寸，得到同时与所述液桥区域和所述晶体区域存在交界面的第二区域。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述第二区域进行六面体网格划分，得到构成所述第二区域的第二六面体网格，包括：获取所述第一六面体网格中的第一网格面在所述氧化镓晶体的生长方向上的高度尺寸、所述第一网格面在所述氧化镓晶体的宽度方向上的宽度尺寸以及所述第一六面体网格在所述氧化镓晶体的厚度方向上的最大网格尺寸；所述第一网格面为第一六面体网格中处于第一区域和所述第二区域的第二交界面上的网格面；

以所述高度尺寸为所述第二区域中的第二六面体网格在所述氧化镓晶体的生长方向的目标高度，以所述宽度尺寸为所述第二六面体网格在所述氧化镓晶体的宽度方向的目标宽度，以所述最大网格尺寸为所述第二六面体网格在所述氧化镓晶体的厚度方向的最大尺寸，进行六面体网格划分，得到构成所述第二区域的第二六面体网格。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

将所述几何模型中，所述第一区域和所述第二区域之外的区域确定为第三区域；

对所述第三区域进行四面体网格划分，得到构成所述第三区域的四面体网格。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第三区域包括至少一个子区域；所述对所述第三区域进行四面体网格划分，得到构成所述第三区域的四面体网格，包括：获取所述子区域的第三最小几何尺寸；

根据所述第三最小几何尺寸，对所述子区域进行四面体网格划分，得到构成所述子区域的至少两个四面体网格；所述四面体网格的最大网格尺寸小于或者等于所述第三最小几何尺寸的c倍，c大于0且小于1。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述四面体网格中第三网格面的边长小于或者等于所述第一六面体网格中第四网格面的边长的d倍，d大于1且小于或者等于2；和/或，所述四面体网格中第五网格面的边长小于或者等于所述第二六面体网格中第六网格面的边长的d倍；

其中，所述第四网格面为所述第一六面体网格中与所述第三网格面存在交界面的网格面；所述第六网格面为所述第二六面体网格中与所述第四网格面存在交界面的网格面。

8.一种电子设备，其特征在于，包括：存储器和处理器，所述存储器用于存储计算机程序，所述处理器用于执行所述计算机程序时实现如权利要求1至7任一项所述的导模法生长氧化镓晶体的网格确定方法。

9.一种可读存储介质，其特征在于，所述可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至7任一项所述的导模法生长氧化镓晶体的网格确定方法。