1.一种半导体晶圆切割设备，包括保护壳体，所述保护壳体的内部设置有晶棒支撑组件以及切割组件，晶棒支撑组件位于切割组件的上方，其特征在于：所述保护壳体内还设置有削切液供液装置，所述削切液供液装置用于向晶棒切割部位进行供液，所述削切液供液装置安装在晶棒支撑组件和切割组件之间，所述切割组件上设置有钻石固化机构；

所述钻石固化机构包括包覆在上层金刚石线外侧的矩形盒体，所述矩形盒体包括上料区域和固化区域，所述矩形盒体位于上料区域侧面均匀开设有穿线孔，所述穿线孔为倾斜孔，且穿线孔靠近晶棒的一端孔距大于另一端的孔距，所述上料区域位于穿线孔的上方设置有存储仓，所述存储仓内填充有钻石颗粒浆料，所述存储仓与穿线孔之间贯穿设置有供料通道；

所述供料通道内设置有下压控制机构，下压控制机构包括滑动设置在供料通道内的插管，所述供料通道的上方通过支撑杆连接有塞帽，所述塞帽与插管的上端相互匹配，所述插管的下端连通有供料环，所述供料环的内圈开设有一圈出料孔，所述金刚石线穿过供料环，所述固化区域的一圈安装有光固化灯，所述光固化灯用于对金刚石线上的钻石颗粒浆料进行固化处理。

2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆切割设备，其特征在于：所述晶棒支撑组件包括安装在保护壳体内顶部的升降组件，所述升降组件用于控制晶棒支撑组件的升降，所述晶棒支撑组件还包括安装座，所述安装座的上方中部开设置有安装槽，且在安装座的四周滑动设置有四组导柱，四组所述导柱的上端安装在保护壳体内顶部；

所述升降组件包括安装在保护壳体顶部的液压缸，所述液压缸的下端伸缩端安装在安装座上方的安装槽内；

所述安装座的下方开设有限位滑槽，所述限位滑槽内滑动设置有鸠尾座，所述鸠尾座包括呈T形设置的金属座，所述金属座限位滑动安装在限位滑槽内，所述金属座的两侧通过限位块限位，所述金属座的下方开设有用于固定晶棒的固定槽，所述金属座的侧面螺纹连接有螺纹丝杆，所述螺纹丝杆的一端连接有夹紧块，所述螺纹丝杆的另一端设置有旋转把手。

3.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆切割设备，其特征在于：所述切割组件包括两组平行设置的罗拉，且罗拉上均匀开设有线槽，所述罗拉的两侧设置有收线轮和放线轮，所述收线轮和放线轮以及罗拉的线槽缠绕有金刚石线。

4.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆切割设备，其特征在于：所述削切液供液装置包括供液箱，所述供液箱的出口端连接有供液管，所述供液管的另一端连通有供液盘，所述供液盘的侧面开设有出液口，所述出液口朝向金刚石线与晶棒的接触面供液。

5.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆切割设备，其特征在于：所述穿线孔的一端设置有刮片组件，所述刮片组件包括设置在穿线孔内的固定板，所述固定板的两侧连接弹簧，所述弹簧的另一端连接在上料区域位于穿线孔的上下两侧，所述固定板的中部开设有安装孔，所述安装孔内安装有刮片，所述刮片设置在金刚石线的下方。

6.一种实施权利要求1‑5任意一项所述的半导体晶圆切割设备的切割方法，其特征在于：切割工艺如下：a、切割机更换槽距为0.45mm‑0.55mm的罗拉；

b、将0.10mm‑0.14mm金刚石线绕至罗拉线槽内，并且调节张力，将张力均匀分布到钢线线网上；

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c、将配置好密度为0.8kg/m‑1.2kg/m的金刚石砂浆，加入设备削切液供液装置，并循环均匀；

d、上机待切割6‑8英寸晶棒，晶棒粘至鸠尾座上，晶棒朝下，鸠尾座上，装入设备切割室；

e、将金刚石线绕过钻石固化机构；

f、根据晶棒横截面面积及晶棒长度设置切割参数，单片用线量、切割时间、砂浆流量、砂浆温度、线网张力、进给速度、进给位置、线网速度等；

g、开始切割，切割过程中监控砂浆温度、切削流量及晶棒线弓；

h、切割完成，缓升切割室下降装置，将鸠尾座和切割后晶片抬起脱离线网；

i、将切割后晶片下机，并脱胶收片，注意SiC切割片，C/Si面识别。

7.根据权利要求6所述的一种半导体晶圆切割设备的切割方法，其特征在于：所述钻石固化机构内填充的钻石颗粒浆料的配制工艺如下：步骤一：按比例量取所需量的预聚物、活性稀释剂和光引发剂倒入混料桶中，然后进行充分搅拌；

步骤二：取所需的钻石颗粒加入混料桶中，充分混入到预聚物、活性稀释剂和光引发剂中；

步骤三：充分搅拌混合36h，以确保钻石颗粒在预聚物、活性稀释剂和光引发剂中分散均匀，保证后续切割质量；

步骤四：将混合好的钻石颗粒浆料倒入存储仓内，可以向金刚石线补充钻石颗粒。