1.一种具有电场和载流子调制的MOSFET器件，其特征在于，该器件包括源极P+区(2)、源极N+区(3)、P‑well区(4)、漂移区(5)、第一漏极N+区(6)、多晶硅掺杂区(9)、P‑pillar区(10)、氧化层(11)、第二漏极N+区(12)以及漏极P+区(13)；

所述漂移区(5)位于所述第一漏极N+区(6)表面，所述P‑well区(4)位于所述漂移区(5)表面，所述源极P+区(2)和源极N+区(3)位于所述P‑well区(4)表面；所述源极P+区(2)、源极N+区(3)、P‑well区(4)、漂移区(5)和第一漏极N+区(6)均位于所述氧化层(11)的一侧；

所述第二漏极N+区(12)位于所述漏极P+区(13)表面，所述P‑pillar区(10)位于所述第二漏极N+区(12)表面，所述多晶硅掺杂区(9)位于所述P‑pillar区(10)表面；所述多晶硅掺杂区(9)、P‑pillar区(10)、第二漏极N+区(12)和漏极P+区(13)均位于所述氧化层(11)的另一侧。

2.根据权利要求1所述的MOSFET器件，其特征在于，该器件还包括源极金属电极(1)、漏极金属电极(7)和栅极金属电极(8)；其中，所述源极金属电极(1)位于所述源极P+区(2)和源极N+区(3)的表面；所述漏极金属电极(7)位于器件底部，分别与所述第一漏极N+区(6)、氧化层(11)和漏极P+区(13)接触；所述栅极金属电极(8)位于所述多晶硅掺杂区(9)表面。

3.根据权利要求1或2所述的MOSFET器件，其特征在于，所述氧化层(11)的厚度为0.05μm。

4.根据权利要求1或2所述的MOSFET器件，其特征在于，所述氧化层(11)采用二氧化硅。

5.根据权利要求1或2所述的MOSFET器件，其特征在于，所述多晶硅掺杂区(9)的掺杂类型为P型掺杂。

6.根据权利要求1或2所述的MOSFET器件，其特征在于，所述多晶硅掺杂区(9)的掺杂浓

19 ‑3

度为1×10 cm 。

7.根据权利要求1所述的MOSFET器件，其特征在于，所述漂移区(5)的掺杂类型为N型掺杂。

8.根据权利要求1所述的MOSFET器件，其特征在于，所述漂移区(5)的掺杂浓度为1.3×

15 ‑3

10 cm 。