1.一种低介电常数和低热膨胀系数的共聚聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将0.019‑0.021mol芳香族二酐、0.017‑0.023mol二胺单元在0.45‑0.48mol溶剂中反应，然后加入溶解在0.13‑0.15mol溶剂的0.0004mol封端剂进行反应，制备主链含邻羟基的聚酰胺酸；

其中，所述二胺单元包括10％‑40％摩尔量的主链含邻羟基的单体和余量的芳香族二胺；

S2、将聚酰胺酸经涂膜、热亚胺化制备聚酰亚胺薄膜；

S3、将制备的聚酰亚胺薄膜加热使得邻羟基进行热重排反应，得到主链含噁唑环的共聚聚酰亚胺薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种低介电常数和低热膨胀系数的共聚聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中主链含邻羟基的单体采用2,2‑双(4‑羟基3‑氨基苯基)丙烷。

3.根据权利要求1所述的一种低介电常数和低热膨胀系数的共聚聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，芳香族二酐采用4,4'‑联苯醚二酐、均苯四甲酸二酐、3,

3',4,4'‑联苯四羧酸二酐、双酚A型二醚二酐中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的一种低介电常数和低热膨胀系数的共聚聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，芳香族二胺采用4,4'‑二氨基二苯醚、2‑(4‑氨基苯基)‑

5‑氨基苯并咪唑、2,2'‑双(三氟甲基)‑4,4'‑二氨基苯基醚中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的一种低介电常数和低热膨胀系数的共聚聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，封端剂采用笼形聚倍半硅氧烷。

6.根据权利要求1所述的一种低介电常数和低热膨胀系数的共聚聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述溶剂采用四氢呋喃、N,N‑二甲基乙酰胺、N,N‑二甲基甲酰胺中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的一种低介电常数和低热膨胀系数的共聚聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，将聚酰胺酸溶液均匀涂覆在玻璃板上，放入真空干燥箱于130‑150℃干燥2‑4h，然后放于马弗炉中热亚胺化，热亚胺化程序为：200℃×1h，300℃×

1h，330℃×1h。

8.根据权利要求1所述的一种低介电常数和低热膨胀系数的共聚聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，将制备的聚酰亚胺薄膜放入通有氩气的管式炉中进行热重排反应，加热至300‑500℃保温1‑2h，使得羟基与五元环进行热重排反应转变成噁唑环。

9.一种低介电常数和低热膨胀系数的共聚聚酰亚胺薄膜，其特征在于，采用权利要求

1‑8任一项所述的制备方法制得。

10.根据权利要求9所述的一种低介电常数和低热膨胀系数的共聚聚酰亚胺薄膜，其特征在于，所述共聚聚酰亚胺薄膜的介电常数为2.7‑3.0，热膨胀系数为19.5‑26.5ppm/K。