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专利号: 202420272652X
申请人: 浙江工业职业技术学院
专利类型:实用新型
专利状态:已下证
更新日期:2026-09-16
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种双重负阻型宽频段有源带通滤波器,包括结构相同的第一输入级和第二输入级,以及结构相同的第一输出级和第二输出级,其中第一输入级用于输入差分正极信号,第二输入级用于输入差分负极信号,第一输出级用于输出滤波后的差分正极信号,第二输出级用于输出滤波后的差分负极信号,其特征在于,还包括双重负阻单元,以及两个结构相同的有源电感,其中第一个有源电感用于连接第一输入级、第一输出级,第二个有源电感用于连接第二输入级、第二输出级;

每个有源电感分别包括正跨导放大器、负跨导放大器、反馈电阻和电流源,正跨导放大器通过反馈电阻桥接负跨导放大器,其中负跨导放大器连接对应的输入级,正跨导放大器连接对应的输出级;所述电流源分别向正跨导放大器、负跨导放大器提供偏置电流,且电流源提供的偏置电流受控于外部偏置电压;

所述双重负阻单元包括两层负阻电路,其中第一层负阻电路由两个直接交叉耦合的MOS管构成,第二层负阻电路由两个MOS管通过隔直电容交叉耦合构成,且第二层负阻电路中的两个MOS管通过外部偏置电压进行偏压;双重负阻单元一端连接至第一输出级和第一输出级对应的有源电感之间,双重负阻单元另一端连接至第二输出级和第二输出级对应的有源电感之间;

信号从输入级进入对应有源电感中的负跨导放大器,再通过对应有源电感的正跨导放大器进入对应的输出级,通过调节外部偏置电压改变有源电感中正、负跨导放大器之间的有效跨导,由此实现不同频率带通滤波功能,并通过双重负阻单元抵消寄生电阻。

2.根据权利要求1所述的双重负阻型宽频段有源带通滤波器,其特征在于,所述第一输入级和第二输入级均为两个MOS管级联构成的共栅放大结构。

3.根据权利要求1所述的双重负阻型宽频段有源带通滤波器,其特征在于,所述第一输出级和第二输出级均为两个MOS管级联构成的源极跟随器。

4.根据权利要求1所述的双重负阻型宽频段有源带通滤波器,其特征在于,每个有源电感中的负跨导放大器包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管,其中第一MOS管的源极接地,第一MOS管、第二MOS管的栅极共接后再连接对应的输入级,第一MOS管、第二MOS管的漏极共接后再分别与第四MOS管的栅极、第三MOS管的源极连接,第三MOS管的栅极还与第四MOS管的漏极连接,第四MOS管的源极接地;

每个有源电感中的正跨导放大器包括第五MOS管,第五MOS管的栅极通过反馈电阻与负跨导放大器中第三MOS管的漏极连接,第五MOS管的漏极与负跨导放大器中第二MOS管的源极共接连接电源电压,第五MOS管的源极连接对应的输出级;

每个有源电感中的电流源包括第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管,第七MOS管、第八MOS管的栅极分别接入外部偏置电压,第七MOS管、第八MOS管的源极共接后再连接电源电压,第七MOS管的漏极与第三MOS管的漏极连接,第八MOS管的漏极连接至第三MOS管栅极、第四MOS管漏极之间,第六MOS管自身的栅极、漏极相互连接,并且第六MOS管的栅极与第一MOS管、第二MOS管的共栅极连接,第六MOS管的漏极与第五MOS管的源极连接,第六MOS管的源极接地。