1.一种小型化双脊双模介质波导谐振器，包括表面金属化的介质波导谐振器，所述介质波导谐振器的上表面设置有频率调节盲孔（C），所述介质波导谐振器的上表面开设有横截面呈矩形的上脊（A），下表面开设有横截面呈矩形的下脊（B），所述上脊（A）与下脊（B）平行且分设于频率调节盲孔（C）的左右两侧；所述介质波导谐振器具有主模准TM110模、第一高次模准TM120模和第二高次模准TEM模，所述频率调节盲孔（C）位于介质波导谐振器的上表面的中心处，用于调节主模准TM110模和第二高次模准TEM模的谐振频率，所述上脊（A）和下脊（B）位于第一高次模准TM120模的电场较强处，用于控制第一高次模准TM120模的谐振频率。

2.根据权利要求1所述的小型化双脊双模介质波导谐振器，其特征在于：上脊（A）和下脊（B）分别位于介质波导谐振器中心轴线的四分之一和四分之三处，并且上脊（A）的深度与下脊（B）的深度相等。

3.根据权利要求1所述的小型化双脊双模介质波导谐振器，其特征在于：所述主模准TM110模和第二高次模准TEM模的谐振频率通过频率调节盲孔（C）的深度独立地调节，所述第一高次模准TM120模的谐振频率通过上脊（A）和下脊（B）的深度独立地调节。

4.一种小型化四阶双脊双模介质波导双通带滤波器，具有表面金属化的介质块，其特征在于：介质块包括依次通过第一至第三耦合膜片（7、8、9）连接的四个如权利要求1所述的小型化双脊双模介质波导谐振器，从输入端至输出端分别为第一介质波导谐振器（DR1）、第二介质波导谐振器（DR2）、第三介质波导谐振器（DR3）和第四介质波导谐振器（DR4），四个小型化双脊双模介质波导谐振器的上脊（A）和下脊（B）分别位于一条直线上并贯通，第一介质波导谐振器（DR1）下表面开设有位于上脊（A）下方的输入端金属化盲孔（3），第四介质波导谐振器（DR4）下表面开设有位于上脊（A）下方的输出端金属化盲孔（4），输入馈电探针（P1）、输出馈电探针（P2）分别嵌入输入端金属化盲孔（3）、输出端金属化盲孔（4）进行馈电。

5.根据权利要求4所述的小型化四阶双脊双模介质波导双通带滤波器，其特征在于：还具有输入端同轴连接器（1）和输出端同轴连接器（6），所述第一介质波导谐振器（DR1）的下表面设置有与输入端金属化盲孔（3）相接的第一未金属化圆环（2），所述第四介质波导谐振器（DR4）的下表面设置有与输出端金属化盲孔（4）相接的第二未金属化圆环（5），输入端同轴连接器（1）的内导体与输入馈电探针（P1）连接，输入端同轴连接器（1）的外导体与第一介质波导谐振器（DR1）的表面金属层连接；输出端同轴连接器（6）的内导体与输出馈电探针（P2）连接，输出端同轴连接器（6）的外导体与第四介质波导谐振器（DR4）的表面金属层连接；通过调整输入馈电探针（P1）的插入深度进行输入端口耦合强度的调节，通过调整输出馈电探针（P2）的插入深度进行输出端口耦合强度的调节。

6.根据权利要求4所述的小型化四阶双脊双模介质波导双通带滤波器，其特征在于：第一至第三耦合膜片（7、8、9）均开设两个位于中轴线两侧的竖向通孔，位于同一耦合膜片的两竖向通孔之间形成耦合窗口，第一至第三耦合膜片（7、8、9）的下表面开设有与下脊（B）相通的第一至第三耦合槽（10、11、12）；通过第一、第二和第三耦合膜片（7、8、9）两通孔的间距独立地调节相邻谐振器之间的低频耦合系数，通过第一、第二和第三耦合槽（10、11、12）的深度独立地调节相邻谐振器之间的高频耦合系数。

7.根据权利要求6所述的小型化四阶双脊双模介质波导双通带滤波器，其特征在于：所述第二耦合膜片（8）上表面设置用于微调第二介质波导谐振器（DR2）与第三介质波导谐振器（DR3）之间高频段耦合系数的第一耦合调节盲孔（13）；所述第三耦合膜片（9）上表面设置用于微调第三介质波导谐振器（DR3）与第四介质波导谐振器（DR4）之间高频段耦合系数的第二耦合调节盲孔（14）。

8.根据权利要求6所述的小型化四阶双脊双模介质波导双通带滤波器，其特征在于：所述第一耦合膜片（7）两竖向通孔的间距等于第三耦合膜片（9）两竖向通孔的间距。

9.根据权利要求4‑7任一项所述的小型化四阶双脊双模介质波导双通带滤波器，其特征在于：信号由输入端同轴连接器（1）经输入馈电探针（P1）和输入端金属化盲孔（3）馈入第一介质波导谐振器（DR1），通过第一耦合膜片（7）进行耦合，实现源负载耦合，然后依次经过第二介质波导谐振器（DR2）、第二耦合膜片（8）、第三介质波导谐振器（DR3）、第三耦合膜片（9）耦合至第四介质波导谐振器（DR4），并经输出端金属化盲孔（4）和输出馈电探针（P2）后从输出端同轴连接器（6）输出。