1.一种基于RUN优化算法的宇称时间对称成像模型，其特征在于，包括：点光源、两组多层膜、空气层和优化模块；所述两组多层膜满足PT对称特性，两组多层膜之间有空气层；所述点光源发出的光线照射两组由多层有损耗材料构成的多层膜，在两组多层膜之间发生负折射，从而在出射端生成图像；优化模块分析图像信号，并利用RUN优化算法来调整多层膜的介电常数及厚度，具体包括如下步骤：步骤1：以通过多层膜不同角度的反射率及透射率之和作为优化算法目标函数；

步骤2：设置初始种群x，并设定种群数量np，xn,n＝1,2,…,np，用来解决dim维优化问题，dim的大小取决于多层膜的层数；

步骤3：将初始化的种群x作为输入参数施加到多层膜上当作其初始介电常数和厚度，通过传递矩阵和散射矩阵运算，计算目标函数，分析出目前全局最优解x‑best；

步骤4：更新种群中每个粒子的位置同时调整最优值x‑best，将x‑best作为当前最优设计参数施加到多层膜，完成当前迭代；步骤4具体包括如下步骤：步骤4.1：使用RUN方法计算探索机制SM，然后随机生成一个介于[0,1]之间的数值rand，如果rand<0.5，粒子进入探索阶段，在搜索空间中进行全局搜索，并在当前位置附近执行局部搜索，根据搜索结果更新位置x‑new；步骤4.1中，通过ESQ阶段增强解的质量，具体为：生成扰动因子w：

w＝rand(a,b)·exp(‑c(rand))；

式中，a、b、c为常数，rand为小于0.5的随机数；如果w<1，粒子进入开发阶段，并根据开发结果获得新位置x‑new2；如果w≥1，粒子则进入探索阶段，并根据探索结果得到新位置x‑new2；如果新解x‑new2的适应度不优于当前解且满足rand

通过比较ESQ的解和当前最优解的适应度，完成位置更新；

步骤4.2：如果rand≥0.5，粒子进入开发阶段，围绕当前全局最优解和每次迭代的最优解产生的新位置进行局部搜索，并根据搜索结果更新位置x‑new；

步骤5：重复步骤3和步骤4，当全局最优设计参数满足设计要求的时候，完成优化设计。

2.如权利要求1所述的一种基于RUN优化算法的宇称时间对称成像模型，其特征在于：所述步骤2中，采用下式初始化种群：

x＝rand·(UB‑LB)+LB；

式中，x为由每层膜的介电常数及厚度构成的一维向量，LB和UB分别是搜索空间的下边界和上边界，rand是[0,1]范围内的随机数。