+

1. N离子修饰的α‑PbO多孔电极的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1）将β‑PbO粉末和不锈钢球放入球磨罐中，在球磨机中球磨，球磨后的产物即为微米花+状α‑PbO，然后将其放入到含N阳离子表面活性剂溶液中搅拌，之后过滤获得N离子修饰的微米花状α‑PbO；所述含N阳离子表面活性剂为十二烷基三甲基溴化铵、十六烷基三甲基溴化铵、十四烷基三甲基溴化铵中的一种或多种的混合物；

+

2）将N离子修饰微米花状α‑PbO、偏硼酸钠、导电粉和石蜡混合，研磨，形成细粉；

3）将步骤2）所得粉末压制成电极片，以氧化铝作为包埋料，将电极片包埋于氧化铝中，+置于马弗炉中烧结，最后随炉冷却后取出电极片，获得N离子修饰的α‑PbO多孔电极；

步骤3）中烧结温度和保温时间，烧结温度控制在100‑300℃，且保温时间控制在1‑5 h。

+

2.如权利要求1所述的N 离子修饰的α‑PbO多孔电极的制备方法，其特征在于步骤1）中所述的β‑PbO粉末粒径范围在100‑500目，不锈钢球的直径是10‑20mm，不锈钢球的质量是β‑PbO粉末质量的4‑8倍。

+

3.如权利要求1所述的N离子修饰的α‑PbO多孔电极的制备方法，其特征在于步骤1）中，球磨时间控制在40‑80 h，且球磨速率在200‑500 rpm。

+

4.如权利要求1所述的N离子修饰的α‑PbO多孔电极的制备方法，其特征在于步骤1）中，含N阳离子表面活性剂溶液的浓度是5‑50g/L；步骤1）中搅拌时间是6‑60h。

+

5.如权利要求4所述的N离子修饰的α‑PbO多孔电极的制备方法，其特征在于步骤1）中，含N阳离子表面活性剂溶液的浓度是10‑30g/L；步骤1）中搅拌时间是12‑24h。

+

6.如权利要求1所述的N离子修饰的α‑PbO多孔电极的制备方法，其特征在于步骤2）中，所述的偏硼酸钠包括四水偏硼酸钠、二水偏硼酸钠或无水偏硼酸钠中的至少一种，粒径范围在300‑700目；所述导电粉包括活性炭、无定形碳、银粉、碳纳米管、导电石墨粉中的一种或多种的混合物。

+

7.如权利要求1所述的N离子修饰的α‑PbO多孔电极的制备方法，其特征在于步骤2）中，+ +偏硼酸钠粉末质量是N离子修饰微米花状α‑PbO质量的0.3‑2.5倍；导电粉是N离子修饰微+米花状α‑PbO质量的0.02‑0.2倍；石蜡是N离子修饰微米花状α‑PbO的0.02‑0.2倍。

+

8.如权利要求7所述的N离子修饰的α‑PbO多孔电极的制备方法，其特征在于步骤2）中，+ +偏硼酸钠粉末质量是N离子修饰微米花状α‑PbO质量的0.5‑1倍；导电粉是N离子修饰微米+花状α‑PbO质量的0.05‑0.1倍；石蜡是N离子修饰微米花状α‑PbO的0.05‑0.1倍。

+

9.如权利要求1所述的N 离子修饰的α‑PbO多孔电极的制备方法，其特征在于步骤3）中烧结温度和保温时间，烧结温度控制在200±20℃，且保温时间控制在2‑3h。

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10.如权利要求1‑9任一所述方法制备的N离子修饰的α‑PbO多孔电极。

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11.如权利要求10所述的N离子修饰的α‑PbO多孔电极作为阴极电催化合成硼氢化钠的应用。

12.如权利要求11所述的应用，其特征在于阴极室和阳极室用阳离子交换膜隔开，阳极‑1 ‑1室电解液是0.1‑1mol·L 氢氧化钠水溶液，阴极室电解液是含有0.1‑1mol·L 氢氧化钠‑1  +和0.05‑0.5mol·L 四水偏硼酸钠的混合水溶液，以所述N离子修饰的α‑PbO多孔电极作‑2为阴极，石墨电极作为阳极，电解过程的电流密度是5‑20 mA·cm ，电解液温度是室温。