1.一种像素结构，所述像素结构包括呈阵列排布的多个像素单元，每个像素单元包括相应子像素的驱动电路，所述驱动电路包括信号电极Di，栅电极Gj，像素电极Pixelk，以及薄膜晶体管TFT0，其特征在于，所述驱动电路还包括用于预充电的薄膜晶体管TFT1和薄膜晶体管TFT2，每个子像素都连接公共电极COM；

所述TFT1的栅极接上一行子像素对应的栅电极G0，所述TFT1的漏极接上一行同一列像素的像素电极Pixel0，所述TFT1的源极接TFT2的漏极；

所述TFT2的栅极接第二列子像素对应的信号电极D1或信号电极D2，所述TFT2的漏极和源极分别接所述TFT1的源极以及像素电极Pixel1；

其中，i＝1,2,3；j＝0,1,2；k＝0,1。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，用于预充电的薄膜晶体管TFT1和薄膜晶体管TFT2通过如下工艺获得：在玻璃基板上形成栅电极信号线以及栅电极，通过沉积、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离以及干刻后，去除沟道内的部分有源层，形成两个凹槽，通过挡板遮挡操作后进行氧离子轰击，形成受到氧灰化处理的薄膜晶体管TFT2和未受到氧灰化处理的薄膜晶体管TFT1，分别形成对应的阈值电压Vtha和Vthb，其中，所述Vtha大于Vthb。

3.一种如权利要求2所述的像素结构的预充电运行方法，其特征在于，所述方法包括：设定像素电极Pixel0和像素电极Pixel1需要进行预充电的第一条件，若满足第一条件，则需要对像素电极Pixel0或者像素电极Pixel1进行预充电，此时启用相应的子像素中的薄膜晶体管TFT1和薄膜晶体管TFT2进行预充电，否则不启用；

其中，第一条件为不采用预充电情况下像素电极Pixel0、Pixel1的最大灰阶差大于采用预充电情况后最大灰阶差，用下式表示：式中，m0、n0、p0分别表示像素电极Pixel0、Pixel1、Pixel2的初始电压；m1、n1、p1分别表示本帧通电后的电压。

4.根据权利要求3所述的预充电运行方法，其特征在于，启用相应的子像素中的薄膜晶体管TFT1和薄膜晶体管TFT2进行预充电的步骤包括：设定第二条件，并在满足第二条件下使得所述薄膜晶体管TFT1和薄膜晶体管TFT2进行预充电，其中，所述第二条件为：栅电极G0为大于Vthb的高电压，且信号电极D2为大于Vtha的高电压；

在显示屏扫描到G0行，G0行常规栅电极为大于Vtha的高电压信号前，设定G0行总充电时间t，以及G1行预充电时间t1，其中t1<总充电时间t；

给定D2大于Vtha的高电压，D3小于Vtha的低电压，此时Pixel0与Pixel1导通，Pixel0与Pixel1同时得到预充电，并在时间t1内，Pixel0与Pixel1的电压稳定在一设定值内；在时间t1过后，G0行开始常规充电过程，此时D2转为小于Vtha的低电压，G0转为大于Vtha的常规像素TFT开启电压，此时TFT2关断，TFT1打开，Pixel0与Pixel1不连接；

G0扫描结束后，G1扫描前，通过重复上述步骤，为Pixel1与Pixel2进行预充电。

5.一种像素结构，所述像素结构包括呈阵列排布的多个像素单元，每个像素单元包括相应子像素的驱动电路，所述驱动电路包括信号电极Di，栅电极Gj，像素电极Pixelk，以及薄膜晶体管TFT0，其特征在于，所述驱动电路还包括用于预充电的薄膜晶体管TFT1、薄膜晶体管TFT2以及薄膜晶体管TFT3，每个子像素都连接公共电极COM；所述TFT1的栅极接上一行子像素对应的栅电极G0，所述TFT1的漏极接上一行同一列像素的像素电极Pixel0，所述TFT1的源极接所述TFT3的漏极；

所述TFT2的栅极接第二列子像素对应的信号电极D2，所述TFT2的漏极和源极分别接所述TFT3的源极以及像素电极Pixel1；

所述TFT3的栅极接信号电极D1；

其中，i＝1,2,3；j＝0,1,2；k＝0,1。

6.根据权利要求5所述的像素结构，其特征在于，用于预充电的薄膜晶体管TFT1、薄膜晶体管TFT2以及薄膜晶体管TFT3在满足如下条件时进入预充电状态：G0>Vthb；

且D1,D2>Vtha

其中，D1或D2由负灰阶电压转变为正灰阶电压。

7.一种显示面板，包括如权利要求2或权利要求6所述的像素结构。