1.一种宽波段自驱动线偏振灵敏光电探测器，其特征在于，包括基底，以及设置在所述基底上的ZrS3层和ReSe2层，ZrS3层和ReSe2层之间部分重合形成ZrS3/ReSe2范德华异质结，ZrS3层为n型多层结构，ReSe2层为p型单层或多层结构，光电探测器的源极设置在ReSe2层上，漏极设置在ZrS3层上，栅极设置在基底背面；

所述光电探测器利用n型ZrS3和p型ReSe2异质结界面处形成的内建电场实现自驱动工作，无需外加偏置电压；

所述光电探测器借助ZrS3和ReSe2结构各向异性导致的光电各向异性，实现对线偏振光的探测。

2.如权利要求1所述的一种宽波段自驱动线偏振灵敏光电探测器，其特征在于，所述基底包括硅衬底和覆盖在硅衬底上的二氧化硅层。

3.如权利要求2所述的一种宽波段自驱动线偏振灵敏光电探测器，其特征在于，所述硅衬底为p型高掺硅衬底。

4.如权利要求1所述的一种宽波段自驱动线偏振灵敏光电探测器，其特征在于，所述源极的材质为金、银、铟、铜、钛中的一种或多种，和/或，所述漏极的材质为金、银、铟、铜、钛中的一种或多种。

5.如权利要求4所述的一种宽波段自驱动线偏振灵敏光电探测器，其特征在于，所述源极和所述漏极均作为引出电极，用于与外部电路相连。

6.如权利要求1所述的一种宽波段自驱动线偏振灵敏光电探测器，其特征在于，所述栅极的材质为金、银、铟、铜、钛中的一种或多种。

7.如权利要求6所述的一种宽波段自驱动线偏振灵敏光电探测器，其特征在于，所述栅极作为引出电极，用于与外部电路相连。

8.一种如权利要求1‑7任一项所述的宽波段自驱动线偏振灵敏光电探测器的制备方法，其特征在于，包括：制备基底；

制备ReSe2薄膜，将ReSe2薄膜覆盖在基底上，得到ReSe2层；

制备ZrS3，将ZrS3定向转移到ReSe2薄膜上，得到ZrS3层和ZrS3/ReSe2范德华异质结；

采用标准光刻工艺，旋涂光刻胶，在光刻机下定位ZrS3/ReSe2范德华异质结，使用光刻掩膜版进行曝光，然后显影；

分别在ReSe2层和ZrS3层上制备源极和漏极；

在基底背面制备栅极，完成光电探测器的制备；

利用n型ZrS3和p型ReSe2异质结界面处形成的内建电场实现自驱动工作，无需外加偏置电压；

借助ZrS3和ReSe2结构各向异性导致的光电各向异性，实现对线偏振光的探测。