1.一种基于二氧化钒的太赫兹可调控宽带吸波器，其主要特征在于：该吸波器由三层组成，从上至下依次为二氧化钒谐振图案层、二氧化硅介质层和金膜底板层，三层之间紧密贴合；二氧化钒谐振图案层是由外部金属开口谐振环、中间方环和方环内耶路撒冷十字结构组成的复合结构，耶路撒冷十字结构由十字架、十字架端口的矩形和矩形边上的扇形构成，扇形的弦长与矩形边长相同、圆心角为θr；单胞结构在x，y方向上周期性规则排列，呈M×N分布，M表示在x方向的单胞分布数，N表示在y方向的单胞分布数，本发明中M＝N。

2.根据权利要求1所设计的基于二氧化钒的太赫兹可调控宽带吸波器，其特征在于，所设计超表面结构顶层谐振图案关于对角线对称。

3.根据权利要求2所设计的基于二氧化钒的太赫兹可调控宽带吸波器，其特征在于，所述中间介质层采用介电常数为3.8的二氧化硅。

4.根据权利要求3所设计的基于二氧化钒的太赫兹可调控宽带吸波器，其特征在于，所设计中间介质层和金属底板具有相同的尺寸，但厚度不同。

5.根据权利要求4所设计的基于二氧化钒的太赫兹可调控宽带吸波器，其特征在于，所述的二氧化钒材料在太赫兹波段可以由Drude模型表述，所述的二氧化钒材料的介电常数ε(ω)表达为：

13

其中，ε∞是二氧化钒的高频介电常数，ε∞＝12；碰撞频率γ＝5.75×10 rad/s，ωp(σ)是等离子体频率，ωp(σ)与电导率σ关系如下：

5 15

其中，σ0为3×10S/m，ωp(σ0)为1.4×10 rad/s。

6.根据权利要求5所述的基于二氧化钒的太赫兹可调控宽带吸波器设计方法，其特征在于，所述吸波器的调制深度Md满足：其中，AM(ω)为二氧化钒在金属态时的吸波率，AD(ω)为二氧化钒在绝缘态时的吸波率，ξ表示吸波器调制深度相对误差值。

7.根据权利要求6中所述的基于二氧化钒的太赫兹可调控宽带吸波器设计方法，其特征在于，所述吸波器吸波率计算值A(ω)满足：其中，n‑1和n表示工作频带内的任意两个相邻频点，An‑1(ω)和An(ω)表示在第n‑1和第n频点处模拟仿真得到的吸波率值，ψ为吸波率相对误差值。

8.根据权利要求7所述的基于二氧化钒的太赫兹可调控宽带吸波器设计方法，其特征在于，所述吸波器吸波率A(ω)计算方法如下：

2 2

A(ω)＝1‑R(ω)‑T(ω)＝1‑|S11|‑|S21|其中，R(ω)为吸波器的反射率，T(ω)为吸波器的透射率，S11为吸波器的反射系数，S21为吸波器的透射系数，由于金属底板厚度远大于电磁波在此工作频段的趋肤深度，电磁波无法从底板透射，故T(ω)＝0，因此吸波率A(ω)可表示为：其中，Zin(ω)为超表面吸波器的输入阻抗，Z0为自由空间中的波阻抗，Z0＝377Ω，μ和ε表示超表面吸波器的磁导率和介电常数，μ0和ε0表示自由空间的磁导率和介电常数；

则所述超表面吸波器吸波率A(ω)可通过吸波率控制函数f(μ,ε)表示：理想的超表面的吸波率控制模型F(A(ω))：

式中，q为吸波器在工作带宽的频率采样点数，g1为工作带宽的频率起始值，g2为工作带宽的频率终值。

9.根据权利要求8所述的基于二氧化钒的太赫兹可调控宽带吸波器设计方法，其特征在于，所述实际的超表面的吸波率控制模型FT(A(ω))表示为：式中，λ(R)为吸波率湿度调节因子，R为相对湿度值，经标定λ(R)采用如下函数表示：